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IRL3715ZSTRL-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,70A,RDS(ON),12mΩ@10V,19mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.2Vth(V) 封装:TO263\n适用于需要较高功率和电流的应用场合,能够在高功率、高频率的电路中发挥优异性能。其沟槽型技术可以提高器件的性能和稳定性,适用于要求高效率和高稳定性的电子设备和系统。
供应商型号: IRL3715ZSTRL-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRL3715ZSTRL-VB

IRL3715ZSTRL-VB概述

    IRL3715ZSTRL-VB 技术手册解析

    产品简介


    IRL3715ZSTRL-VB 是一款高性能的N沟道30V(漏-源)MOSFET晶体管,属于 TrenchFET® Power MOSFET 系列。这款电子元器件具有高可靠性、低导通电阻及快速开关性能,广泛应用于电源管理、服务器、DC/DC 转换器等领域。其设计完全符合 RoHS 指令 2011/65/EU 的环保要求。

    技术参数


    以下是 IRL3715ZSTRL-VB 的主要技术规格和性能参数:
    - 漏-源电压(VDS):30V
    - 栅-源电压(VGS):±20V
    - 连续漏极电流(TJ=175℃):46A(TA=25℃时),21A(TA=70℃时)
    - 脉冲漏极电流(IDM):210A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):94.8mJ
    - 最大功率耗散(PD):120W(TA=25℃),85W(TA=70℃)
    - 热阻抗(RthJA):32~40°C/W
    - 绝对最高额定温度范围:Tj 和 Tstg:-55°C 至 +175°C
    这些参数确保了器件在多种工作条件下的稳定运行。

    产品特点和优势


    IRL3715ZSTRL-VB 的独特功能使其在市场上极具竞争力:
    - TrenchFET 技术:提供低导通电阻和高效率。
    - 全生命周期测试:保证器件质量,支持 Rg 和 UIS 测试。
    - 宽温操作范围:适用于极端温度条件。
    - 优越的热管理能力:较低的热阻,延长设备寿命。
    其低导通电阻(RDS(on) ≤ 0.012Ω @ VGS=10V)以及快速开关速度(上升时间、下降时间分别为 11~17ns 和 10~15ns),使其特别适合需要高效能输出的应用场景。

    应用案例和使用建议


    IRL3715ZSTRL-VB 广泛应用于以下领域:
    1. OR-ing 电路:用于多电源系统切换,提升系统的可靠性和灵活性。
    2. 服务器电源模块:适合高效能数据中心供电需求。
    3. DC/DC 转换器:可优化开关频率,减少能量损耗。
    使用建议:
    - 在使用过程中,需注意散热设计以避免因高温导致性能下降。
    - 配合外部驱动电路使用,可以更好地利用其快速开关性能。

    兼容性和支持


    IRL3715ZSTRL-VB 使用标准 D2PAK(TO-263)封装,便于与现有电路板集成。此外,VBsemi 提供了详尽的技术支持,包括技术文档下载、在线咨询等服务热线:400-655-8788。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 温度过高导致性能下降 | 改善散热设计,使用外置散热片 |
    | 开关频率不稳定 | 检查驱动电路是否匹配器件规格 |
    | 导通电阻异常增大 | 确保 VGS 电压设置正确 |

    总结和推荐


    IRL3715ZSTRL-VB 是一款卓越的电子元器件,尤其适用于高效率电源管理系统。其优异的热性能、低导通电阻和快速开关速度使其成为众多领域的理想选择。强烈推荐给对性能和效率有较高要求的设计工程师和技术人员。
    推荐指数:★★★★★

IRL3715ZSTRL-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 70A
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 12mΩ@10V,19mΩ@4.5V
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.2V
配置 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRL3715ZSTRL-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRL3715ZSTRL-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRL3715ZSTRL-VB IRL3715ZSTRL-VB数据手册

IRL3715ZSTRL-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.5269
100+ ¥ 2.3398
500+ ¥ 2.2462
800+ ¥ 2.1526
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