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JCS2N60CB-O-C-N-B-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 一款单N型功率MOSFET,具有高性能和可靠性。该产品适用于各种功率电子应用,提供可靠的电气特性和稳定的性能。 N沟道,650V,2A,RDS(ON),3120mΩ@10V,3900mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO220
供应商型号: JCS2N60CB-O-C-N-B-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) JCS2N60CB-O-C-N-B-VB

JCS2N60CB-O-C-N-B-VB概述

    N-Channel MOSFET JCS2N60CB-O-C-N-B-VB 技术手册

    产品简介


    JCS2N60CB-O-C-N-B-VB 是一款高性能的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它具备低栅极电荷和高雪崩能力,适合应用于电源转换、电机驱动和照明系统等领域。

    技术参数


    - 电压参数:
    - VDS (最大漏源电压): 650V
    - VGS (最大栅源电压): ±30V
    - VDS温度系数: -670mV/°C
    - 电流参数:
    - 最大连续漏电流ID: 1.28A (Tc=100°C)
    - 最大脉冲漏电流IDM: 8A (脉宽≤300μs, 占空比≤2%)
    - 最大雪崩能量EAS: 165mJ
    - 最大重复雪崩能量EAR: 6mJ
    - 电阻参数:
    - RDS(on) (导通电阻): 4Ω (VGS=10V)
    - 零栅压漏电流IDSS: 25μA (VDS=650V)
    - 动态参数:
    - 输入电容Ciss: 417pF
    - 输出电容Coss: 45pF
    - 反向传输电容Crss: 5pF
    - 开关时间参数:
    - 开启延时时间td(on): 1ns
    - 上升时间tr: 20ns
    - 关闭延时时间td(off): 34ns
    - 下降时间tf: 18ns
    - 热阻抗参数:
    - 最大结到环境热阻RthJA: 65°C/W
    - 最大结到外壳热阻RthJC: 2.1°C/W
    - 其他参数:
    - 工作结温和存储温度范围: -55°C 至 +150°C
    - 峰值二极管恢复dv/dt: 2.8V/ns

    产品特点和优势


    1. 低栅极电荷:低Qg(最大11nC)减少了驱动需求,简化了电路设计。
    2. 增强的坚固性:具有改进的门限、雪崩和动态dv/dt坚固性。
    3. 全面表征:容抗和雪崩电压电流经过全面表征。
    4. 符合RoHS:符合RoHS指令2002/95/EC。

    应用案例和使用建议


    该MOSFET适用于各种高压功率转换应用,如电机驱动和逆变器。建议在设计中使用合适的散热器以确保良好的热管理。在选择驱动电路时,需考虑驱动电阻和栅极电容匹配以优化开关性能。

    兼容性和支持


    该产品符合RoHS标准,并且可以通过VBsemi的服务热线400-655-8788获得技术支持和售后保障。

    常见问题与解决方案


    1. Q: 设备过热怎么办?
    - A: 确保使用适当的散热措施,并检查是否超过额定温度。
    2. Q: 开关速度慢怎么办?
    - A: 检查驱动电路并优化驱动电阻,以减少开关延迟时间。
    3. Q: 出现异常漏电流怎么办?
    - A: 检查输入信号和电路连接,确保没有短路现象。

    总结和推荐


    JCS2N60CB-O-C-N-B-VB 是一款性能优异的N沟道MOSFET,适用于多种高压应用场合。其高可靠性、低栅极电荷和全面的性能参数使其在市场上具备较强的竞争力。强烈推荐在需要高效率和高可靠性应用中采用此产品。

JCS2N60CB-O-C-N-B-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 3120mΩ@10V,3900mΩ@4.5V
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
Id-连续漏极电流 2A
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
配置 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

JCS2N60CB-O-C-N-B-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

JCS2N60CB-O-C-N-B-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 JCS2N60CB-O-C-N-B-VB JCS2N60CB-O-C-N-B-VB数据手册

JCS2N60CB-O-C-N-B-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 1.9435
100+ ¥ 1.7996
500+ ¥ 1.7275
1000+ ¥ 1.6556
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型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
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09N50I-VB ¥ 4.2759
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15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336