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K3567_06-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n650V,4A,RDS(ON),2560mΩ@10V,20Vgs(±V);3.8Vth(V)\n一款单通道 N 型 MOSFET,采用 Plannar 技术制造,具有高性能和可靠性。其封装为 TO220F,适用于各种电源和功率控制应用。
供应商型号: K3567_06-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3567_06-VB

K3567_06-VB概述


    产品简介


    这款产品是一款N沟道650V功率MOSFET,主要用于高压电力电子应用。其主要功能包括低栅极电荷、高抗冲击能力和良好的动态dV/dt鲁棒性。此款MOSFET广泛应用于电源管理、电机控制及逆变器等领域。

    技术参数


    - 电压参数:
    - 栅源电压 (VGS):±30V
    - 漏源电压 (VDS):650V
    - 持续漏电流 (ID):3.8A(Tc=100°C)

    - 电阻参数:
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)):2.5Ω(VGS=10V)
    - 电容参数:
    - 输入电容 (Ciss):80pF
    - 输出电容 (Coss):1912pF
    - 反向传输电容 (Crss):7.0pF
    - 充电参数:
    - 总栅极电荷 (Qg):48nC
    - 栅极源极电荷 (Qgs):12nC
    - 栅极漏极电荷 (Qgd):19nC
    - 其他参数:
    - 最大单脉冲雪崩能量 (EAS):325mJ
    - 最大反向恢复时间 (trr):493~739ns
    - 峰值二极管恢复dV/dt:2.8V/ns

    产品特点和优势


    1. 低栅极电荷:由于栅极电荷较低,驱动要求简化,降低了整体电路设计难度。
    2. 高可靠性:改进的栅极、雪崩和动态dV/dt鲁棒性,确保了产品在极端条件下的稳定性和耐久性。
    3. 全面的特性测试:完全标定的电容和雪崩电压及电流,使得产品质量更加可靠。
    4. 环保合规:符合RoHS指令2002/95/EC。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 电源管理:常用于开关电源的设计中,特别是在需要较高电压的场合。
    2. 电机控制:在变频器等电机控制系统中提供精确的电流控制。
    3. 逆变器:在光伏逆变器中作为功率转换的关键组件。
    使用建议
    - 在高压应用中,务必遵循正确的散热策略,以防止过热损坏。
    - 设计电路时,注意匹配合适的驱动器以确保最佳性能。

    兼容性和支持


    该产品与大多数标准电源和逆变器设备兼容。制造商提供详尽的技术支持和维护文档,用户可通过官方服务热线400-655-8788获取帮助。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 散热不足导致温度过高 | 确保安装散热片或使用风扇进行冷却。 |
    | 开关频率过高引起损耗增加 | 调整电路设计,降低开关频率。 |

    总结和推荐


    总体而言,这款N沟道650V MOSFET凭借其优良的特性和可靠性,在多种高压电力电子应用中表现出色。尤其是其低栅极电荷和高雪崩耐受能力,使其成为高压系统设计的理想选择。因此,强烈推荐使用这款产品。

K3567_06-VB参数

参数
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
Id-连续漏极电流 4A
Rds(On)-漏源导通电阻 2.56Ω@ 10V
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K3567_06-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3567_06-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K3567_06-VB K3567_06-VB数据手册

K3567_06-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.9004
1000+ ¥ 1.8212
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型号 价格(含增值税)
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