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K1541-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 一款单极性 N 型功率场效应晶体管(MOSFET),额定电压高达650V,适用于高压应用场景。门源电压范围广泛(±30V),具有良好的电压容忍性。阈值电压较低(3.5V),有助于减少功率损耗。在VGS=10V时的漏极-源极电阻为700m?,提供可靠的导通特性。漏极电流为7A,适用于中等功率需求。采用SJ_Multi-EPI技术,具有优异的热稳定性和可靠性。封装为TO252,易于安装和散热。
供应商型号: K1541-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K1541-VB

K1541-VB概述

    # VBsemi N-Channel Power MOSFET 技术概述

    产品简介


    VBsemi 的 N-Channel Power MOSFET(型号为4VQFS)是一款高性能的功率场效应晶体管,广泛应用于多种电力系统和电路设计。该产品具有低导通电阻(RDS(on))、低输入电容(Ciss)和低栅极电荷(Qg),适用于高速开关应用。典型的应用领域包括服务器和通信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电路,以及高强度放电(HID)灯和荧光灯照明设备。

    技术参数


    以下是从技术手册中提取的关键技术参数:
    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源击穿电压 | - | 650 | - | V |
    | 栅源阈值电压 | 2 | 4 | - | V |
    | 导通电阻 | - | 0.7 | - | Ω |
    | 栅极电荷 | - | 16 | - | nC |
    | 输入电容 | - | 147 | - | pF |
    | 反向恢复电荷 | - | 2.3 | - | µC |
    其他重要参数还包括最高工作温度150°C,最高功耗9W,以及反向恢复时间不超过190纳秒。

    产品特点和优势


    1. 高效率:低RDS(on)和Qg确保了更低的开关损耗和传导损耗,提高了整体效率。
    2. 快速响应:快速的反向恢复特性和低输入电容使其适合高频开关应用。
    3. 可靠性强:能够在宽温度范围内稳定工作,并通过了严格的可靠性测试。

    应用案例和使用建议


    VBsemi 的这款MOSFET非常适合用于需要高效能转换的场合。例如,在SMPS设计中,可以选择合适的工作条件以优化系统的整体效率。对于照明应用,特别是在HID和荧光灯中,可以利用其出色的开关性能来实现更长的使用寿命。
    建议在使用时注意散热管理,尤其是在高电流环境下,以避免因过热导致的性能下降。

    兼容性和支持


    该产品与多种主流封装兼容,包括TO-220AB、TO-252AA等。VBsemi提供了详尽的技术文档和支持服务,帮助客户更好地集成到自己的设计方案中。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关频率过高导致发热 | 降低开关频率或增加散热措施 |
    | 反向恢复特性不佳影响效率 | 调整驱动电路以优化栅极充电 |

    总结和推荐


    VBsemi 的4VQFS N-Channel Power MOSFET凭借其卓越的性能和广泛的适用性,是一款非常值得推荐的产品。无论是从成本效益还是性能角度来看,它都能满足大多数现代电力电子应用的需求。因此,强烈建议在相关项目中优先考虑此款产品。如需进一步技术支持,请联系VBsemi的服务热线:400-655-8788。

K1541-VB参数

参数
配置 -
通道数量 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 30V
Rds(On)-漏源导通电阻 700mΩ@ 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Id-连续漏极电流 7A
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K1541-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K1541-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K1541-VB K1541-VB数据手册

K1541-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.887
100+ ¥ 3.5991
500+ ¥ 3.3111
2500+ ¥ 3.1672
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型号 价格(含增值税)
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