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JCS630C-O-C-N-B-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,200V,10A,RDS(ON),270mΩ@10V,310mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.9Vth(V) 封装:TO220适用于各种低功耗和中功率应用。其适中的漏极-源极电压、低阈值电压和适度的导通电阻使其在多种场合下都具备良好的性能。
供应商型号: JCS630C-O-C-N-B-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) JCS630C-O-C-N-B-VB

JCS630C-O-C-N-B-VB概述

    JCS630C-O-C-N-B-VB N-Channel 200 V MOSFET 技术手册概述



    1. 产品简介




    JCS630C-O-C-N-B-VB 是一款 N-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高温度和高功率应用设计。该产品适用于作为初级侧开关,并以其优异的热稳定性、快速的开关速度和低导通电阻而著称。它主要应用于电源管理和工业控制系统等领域,能够在严苛的工作环境中稳定运行。


    2. 技术参数




    - 工作电压:最大漏源电压 \( V_{DS} \) 为 200V。
    - 电流特性:
    - 连续漏极电流 \( I_{D} \)(在 \( T_J = 175^{\circ}C \))可达 25 A。
    - 脉冲漏极电流 \( I_{DM} \) 可达 12 A。
    - 最大雪崩击穿电流 \( I_{AS} \) 为 10 A。
    - 单脉冲雪崩能量 \( E_{AS} \) 为 18 mJ。
    - 温度特性:
    - 结温范围为 -55 至 175°C。
    - 最大结到外壳热阻 \( R_{thJC} \) 为 1.1°C/W。
    - 电气特性:
    - 导通电阻 \( R_{DS(on)} \) 在 \( V_{GS} = 10 V \),\( I_{D} = 5 A \) 时为 0.270 Ω。
    - 门极阈值电压 \( V_{GS(th)} \) 为 2 V 到 4 V。
    - 认证:
    - 符合RoHS指令 2002/95/EC。


    3. 产品特点和优势




    - 高耐温性:最高工作结温可达 175°C,使得产品能在高温环境下稳定运行。
    - 优化的PWM性能:设计上优化了脉宽调制(PWM)性能,适用于高频开关电路。
    - 全面测试:100%门极电阻测试确保产品的可靠性和一致性。
    - ROHS合规性:符合RoHS指令,满足环保要求。


    4. 应用案例和使用建议




    应用案例:
    - 电源管理:在AC/DC转换器中作为初级侧开关,能够承受高电压和高电流。
    - 工业控制:用于电机驱动和电池管理系统中的关键部件,提供稳定的电力控制。

    使用建议:
    - 散热管理:在高负载情况下使用时,应采用有效的散热措施,以保持良好的工作温度。
    - 参数选择:根据实际应用需求选择合适的驱动电压 \( V_{GS} \) 和工作电流 \( I_{D} \)。


    5. 兼容性和支持




    - 兼容性:该MOSFET具有广泛的兼容性,可以与多种控制器和驱动电路搭配使用。
    - 支持和服务:VBsemi公司提供全面的技术支持和售后服务,确保客户能够获得最佳的使用体验。


    6. 常见问题与解决方案




    - 问题:设备在高负荷下过热。
    - 解决方案:使用更大的散热器或者增加散热风扇来增强散热效果。
    - 问题:设备在启动时无法正常工作。
    - 解决方案:检查输入电压和电流是否符合要求,确保门极驱动信号正确无误。


    7. 总结和推荐




    JCS630C-O-C-N-B-VB是一款专为高可靠性、高性能需求设计的N-Channel MOSFET。它不仅具备出色的温度特性和电流承载能力,还具有优化的PWM性能和全面的测试保证。特别适合在工业控制和电源管理应用中使用。总体而言,该产品凭借其卓越的功能和可靠性,值得推荐给需要高性能MOSFET的用户。

    如需了解更多详细信息或技术支持,请联系VBsemi官方服务热线:400-655-8788。

JCS630C-O-C-N-B-VB参数

参数
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 270mΩ@10V,310mΩ@4.5V
Id-连续漏极电流 10A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.9V
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 200V
配置 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

JCS630C-O-C-N-B-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

JCS630C-O-C-N-B-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 JCS630C-O-C-N-B-VB JCS630C-O-C-N-B-VB数据手册

JCS630C-O-C-N-B-VB封装设计

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