处理中...

首页  >  产品百科  >  NTD4865NT4G-VB

NTD4865NT4G-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,60A,RDS(ON),10mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V) 封装:TO252\n该场效应管适用于需要高电流和低压降的应用场合,能够在高功率、高频率的电路中发挥优异性能。其沟槽型技术可以提高器件的性能和稳定性,适用于要求高效率和高稳定性的电子设备和系统。
供应商型号: NTD4865NT4G-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NTD4865NT4G-VB

NTD4865NT4G-VB概述

    NTD4865NT4G N-Channel 30-V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    NTD4865NT4G 是一款由VBsemi公司生产的N沟道增强型30V(漏源)功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。其具有出色的电气特性和稳定的工作性能,适用于多种电力管理和转换应用。NTD4865NT4G 采用了先进的TrenchFET®技术,以确保卓越的性能和可靠性。

    2. 技术参数


    - 电气特性
    - 漏源电压(VDS): 30 V
    - 漏极连续电流(TJ = 175°C):
    - 在TC = 25°C时: 25.8 A
    - 在TC = 70°C时: 22 A
    - 最大脉冲漏极电流(IMD): 250 A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS): 94.8 mJ
    - 最大功耗(PD):
    - 在TC = 25°C时: 205 W
    - 在TC = 70°C时: 135 W
    - 热阻参数
    - 最大结到环境热阻(RthJA): 32-40°C/W
    - 最大结到壳体稳态热阻(RthJC): 0.5-0.6°C/W
    - 其他参数
    - 工作温度范围: -55°C 至 175°C

    3. 产品特点和优势


    - TrenchFET®技术:NTD4865NT4G采用先进的TrenchFET®技术,能够提供低导通电阻(RDS(on))和高开关速度,显著提升整体性能。
    - 高可靠性测试:100% 的Rg和UIS测试表明其高度可靠,能够在恶劣环境下稳定工作。
    - 符合RoHS标准:产品符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令,确保环保安全。

    4. 应用案例和使用建议


    - OR-ing 应用:NTD4865NT4G 可用于电源冗余系统中的OR-ing应用,提供可靠的电力切换控制。
    - 服务器电源管理:由于其优异的耐高温性能,该MOSFET特别适合用于服务器电源系统的管理。
    - DC/DC 转换器:作为DC/DC转换器的关键组件,NTD4865NT4G能有效提高转换效率并降低损耗。
    使用建议:建议在设计时充分考虑散热问题,尤其是在高温环境下长时间工作的场合。可以通过增加散热片或者采用良好的PCB布局来优化散热效果。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:NTD4865NT4G与常见的DC/DC转换器和其他电源管理系统兼容。
    - 支持和服务:VBsemi公司提供了详尽的技术文档和支持服务,包括产品规格书、应用指南和客户支持热线400-655-8788。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1: 高温环境下的可靠性问题
    - 解决办法: 确保散热设计合理,可以增加散热片或者优化PCB布局。
    - 问题2: 开关频率过高的效率损失
    - 解决办法: 减少开关频率,调整电路参数以达到最优性能。
    - 问题3: 导通电阻过高
    - 解决办法: 确认工作电压和栅极驱动电压是否正确,适当调整栅极电阻以降低RDS(on)。

    7. 总结和推荐


    NTD4865NT4G 是一款高性能的N沟道30V MOSFET,具备低导通电阻、高开关速度和卓越的可靠性。其广泛应用于OR-ing、服务器电源管理和DC/DC转换器等领域。由于其优异的性能和可靠性,强烈推荐在相关应用中使用该产品。建议在使用过程中关注散热设计和参数设置,以充分发挥其性能优势。

NTD4865NT4G-VB参数

参数
配置 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
Id-连续漏极电流 60A
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.6V
Rds(On)-漏源导通电阻 10mΩ@10V,11mΩ@4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NTD4865NT4G-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NTD4865NT4G-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NTD4865NT4G-VB NTD4865NT4G-VB数据手册

NTD4865NT4G-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.3614
100+ ¥ 1.2606
500+ ¥ 1.2101
2500+ ¥ 1.1597
库存: 400000
起订量: 20 增量: 2500
交货地:
最小起订量为:20
合计: ¥ 27.22
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N50E-VB ¥ 3.498
06N06L ¥ 0.253
06N60E-VB ¥ 3.498
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.43
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
10N80L-T3P-T-VB ¥ 12.5579
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.3831