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K5A53DA4-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO220F,具有高性能和可靠性,适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。650V,7A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V)
供应商型号: K5A53DA4-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K5A53DA4-VB

K5A53DA4-VB概述


    产品简介


    Power MOSFET(功率金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种高效能的开关器件,适用于多种高电流和高频的应用场景。该产品的主要类型是单极N沟道MOSFET,具有低导通电阻和高效的切换性能,广泛应用于服务器电源、电信电源、开关模式电源供应(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)等领域。此外,它还适用于各种照明系统,如高强度放电灯(HID)和荧光灯镇流器,以及工业应用。

    技术参数


    | 参数 | 规格 |

    | 最大漏源电压(VDS) | 650 V |
    | 导通电阻(RDS(on)) | 1.0 Ω(VGS=10V时) |
    | 总栅极电荷(Qg) | 12 nC(VGS=10V时) |
    | 栅源电荷(Qgs) | 13.5 nC |
    | 栅漏电荷(Qgd) | 14.5 nC |
    | 额定重复脉冲雪崩能量(EAS)| 97 mJ |
    | 最大功率耗散(PD) | 200 W |
    | 绝对最大结到环境热阻(RthJA)| 63 °C/W |

    产品特点和优势


    这款Power MOSFET具有以下特点和优势:
    1. 低RDS(on):RDS(on)为1.0Ω,有效降低了导通损耗。
    2. 低输入电容(Ciss):减少门极驱动功耗,提高切换速度。
    3. 低栅极电荷(Qg):减少了开关损耗,提高了整体效率。
    4. 重复雪崩能量(EAS):确保产品在极端条件下稳定可靠运行。
    这些特点使其成为高效、可靠的开关器件,在多种应用场合中表现出色。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 服务器电源:用于高性能计算环境中的高密度电源供应系统,确保系统的稳定性和可靠性。
    - LED照明:在商业和家居照明系统中,利用其高效的切换性能实现节能效果。
    使用建议
    1. 在高温环境下使用时,建议通过优化电路布局来降低寄生电感,提高系统的稳定性。
    2. 建议使用大面积接地平面以改善散热效果,特别是在高频和高电流应用中。

    兼容性和支持


    - 兼容性:与市场上常见的标准电源设计兼容,可直接替换其他品牌的MOSFET产品。
    - 支持和维护:制造商提供详尽的技术文档和支持,客户可通过热线电话(400-655-8788)获得及时的技术支持和维护服务。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何测量MOSFET的栅极电荷?
    - 解决方案:使用专门的栅极电荷测试电路,根据制造商提供的电路图进行测量。
    2. 问题:当栅极驱动电压不足时,如何避免误触发?
    - 解决方案:确保栅极驱动电压达到最小阈值以上,避免电压过低导致误触发。

    总结和推荐


    综上所述,这款Power MOSFET具备低RDS(on)、低输入电容及低栅极电荷的特点,使其在各种高电流和高频应用场景中表现出色。该产品不仅在性能上优越,而且在设计和制造过程中严格控制质量,确保长期稳定的运行。因此,我强烈推荐此款Power MOSFET作为高效的开关器件选择。

K5A53DA4-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 7A
栅极电荷 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 1.1Ω@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
配置 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K5A53DA4-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K5A53DA4-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K5A53DA4-VB K5A53DA4-VB数据手册

K5A53DA4-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 3.1093
1000+ ¥ 2.9798
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型号 价格(含增值税)
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