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BSO150N03MD G-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,30V,8.5A,RDS(ON),20mΩ@10V,12mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.5Vth(V) 封装:SOP8
供应商型号: BSO150N03MD G-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) BSO150N03MD G-VB

BSO150N03MD G-VB概述

    Dual N-Channel 30 V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    Dual N-Channel 30 V MOSFET 是一款高性能的功率场效应晶体管(Power MOSFET),采用沟槽型技术制造。它适用于笔记本电脑系统的电源管理及低电流直流-直流转换器。此款 MOSFET 具有高可靠性,已经通过 100% 的门极电阻和雪崩耐受测试,符合欧盟 RoHS 指令的要求。

    2. 技术参数


    - 最大漏源电压 (VDS): 30 V
    - 最大连续漏电流 (ID):
    - TC = 25 °C 时为 8.5 A
    - TC = 70 °C 时为 7.5 A
    - 最大脉冲漏电流 (IDM): 30 A
    - 最大漏源体二极管电流 (ISM): 30 A
    - 最大单脉冲雪崩电流 (IAS): 10 A
    - 最大单脉冲雪崩能量 (EAS): 5 mJ
    - 最大功耗 (PD):
    - TC = 25 °C 时为 3.1 W
    - TC = 70 °C 时为 2.0 W
    - 工作结温范围 (TJ): -55 °C 到 150 °C
    - 热阻:
    - 最大结至环境热阻 (RthJA): 52 °C/W (最大值)
    - 最大结至引脚热阻 (RthJF): 30 °C/W (最大值)

    3. 产品特点和优势


    - TrenchFET 技术: 通过采用先进的沟槽技术,显著提高效率和降低导通电阻。
    - 高可靠性测试: 所有产品均通过了 100% 的门极电阻和雪崩耐受测试,确保了产品的长期稳定性和可靠性。
    - 环保合规: 符合 RoHS 指令,适合于现代电子产品中的绿色设计。
    - 低导通电阻 (RDS(on)): 在不同电压下的导通电阻分别为 0.016 Ω (VGS = 10 V) 和 0.020 Ω (VGS = 4.5 V),提供更低的功耗和更高的效率。

    4. 应用案例和使用建议


    - 笔记本系统电源管理: 用于笔记本电脑电池管理,可实现高效的电源转换和电压调节。
    - 低电流直流-直流转换器: 在低电流环境下运行时,能有效减少损耗,提高能效。
    使用建议:
    - 散热管理: 由于较高的功耗和电流要求,需要良好的散热措施,例如使用散热片或散热风扇。
    - 驱动电路设计: 确保驱动电路能够提供足够的门极电荷,以保证 MOSFET 的快速开关性能。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: 此 MOSFET 采用 SO-8 封装,可以轻松与多种 PCB 设计兼容。
    - 支持: 制造商提供了详尽的技术文档和应用指南,用户可以通过制造商的服务热线获取进一步的支持和咨询。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q: MOSFET 温度过高怎么办?
    - A: 请确保安装良好的散热装置,如散热片或散热风扇,并优化散热路径。
    - Q: 驱动电路不稳定怎么办?
    - A: 重新检查驱动电路的设计,确保有足够的门极电荷和合适的驱动电压。
    - Q: 功耗过高怎么办?
    - A: 考虑增加散热措施或调整负载条件,减少 MOSFET 的工作电流。

    7. 总结和推荐


    Dual N-Channel 30 V MOSFET 以其高可靠性、低功耗和先进的技术而著称,在笔记本系统电源管理和低电流直流-直流转换器中表现出色。它通过了严格的可靠性测试,且具有良好的兼容性和环保特性。我们强烈推荐此产品,尤其是在注重高效能和可靠性的应用中。

BSO150N03MD G-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 20mΩ@10V,12mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 30V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V
配置 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 8.5A
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

BSO150N03MD G-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

BSO150N03MD G-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 BSO150N03MD G-VB BSO150N03MD G-VB数据手册

BSO150N03MD G-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 1.2606
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