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UF9530L-TA3-T-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-100V,-16A,RDS(ON),175mΩ@10V,210mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1~-3Vth(V) 封装:TO220
供应商型号: UF9530L-TA3-T-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UF9530L-TA3-T-VB

UF9530L-TA3-T-VB概述

    P-Channel 100 V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    P-Channel 100 V (D-S) MOSFET 是一款高性能的功率场效应晶体管(Power MOSFET),特别适用于电源开关和直流/直流转换器应用。它具有卤素无害和符合RoHS指令的特性,确保了在各种工业和消费电子应用中的可靠性和环保性。

    2. 技术参数


    以下是P-Channel 100 V MOSFET的主要技术参数:
    - 电压参数
    - 漏源击穿电压(VDS):-100 V
    - 最大漏极连续电流(ID):-23 A(TC = 25°C)
    - 脉冲漏极电流(IDM):-70 A
    - 单次雪崩能量(EAS):16.2 mJ
    - 电阻参数
    - 导通状态漏源电阻(RDS(on)):
    - 在VGS = -10 V时,ID = -3.6 A:0.100 Ω
    - 在VGS = -4.5 V时,ID = -3.4 A:0.120 Ω
    - 电容参数
    - 输入电容(Ciss):1055 pF
    - 输出电容(Coss):65 pF
    - 反向传输电容(Crss):41 pF
    - 门极电荷参数
    - 总门极电荷(Qg):
    - 在VGS = -10 V时,ID = -3.6 A:23.2 nC
    - 在VGS = -4.5 V时,ID = -3.4 A:11.7 nC
    - 其他参数
    - 热阻(Junction-to-Ambient):50 °C/W(PCB安装)
    - 最大功率耗散(PD):52.1 W(TC = 25°C)
    - 工作温度范围:-55°C 到 150°C

    3. 产品特点和优势


    - Halogen-free材料:采用符合IEC 61249-2-21定义的无卤材料,确保环保。
    - 高可靠性:100% Rg和UIS测试,确保产品在极端条件下的稳定性。
    - 出色的性能:低导通电阻和快速开关速度使其成为高效能电源管理的理想选择。
    - 广泛的应用领域:适用于各种电力电子应用,如电源开关和直流/直流转换器。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:P-Channel 100 V MOSFET在开关电源和电池管理系统中广泛应用。例如,在数据中心UPS系统中作为主控开关,提供高效且稳定的电力转换。
    - 使用建议:
    - 散热设计:在高功率应用中,需要充分考虑散热措施,确保热阻不超过设计值。
    - 驱动电路设计:建议使用合适的门极驱动电路以减少开关损耗并提高效率。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:该MOSFET适用于多种封装,便于集成到现有电路中。可与其他标准MOSFET或IC控制器配合使用。
    - 支持:制造商提供了详尽的技术文档和应用指南,用户可通过服务热线400-655-8788获取技术支持和维护服务。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:高温下MOSFET过热怎么办?
    - 解决方案:增加散热片或采用更大散热面积的散热器,确保工作温度不超过150°C。
    - 问题2:导通电阻变大影响性能如何解决?
    - 解决方案:检查门极驱动电压是否足够,必要时调整驱动电路以确保MOSFET正常工作。

    7. 总结和推荐


    综合评估:P-Channel 100 V MOSFET凭借其优秀的电气特性和广泛的适用性,成为电力电子应用中的理想选择。其Halogen-free材料和RoHS合规性也体现了制造商对环境保护的重视。
    推荐:强烈推荐在电源管理和电力转换应用中使用该产品。无论是高可靠性需求还是对环保有要求的应用场合,这款MOSFET都是您的最佳选择。

UF9530L-TA3-T-VB参数

参数
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -1V~-3V
栅极电荷 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 16A
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个P沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 175mΩ@10V,210mΩ@4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

UF9530L-TA3-T-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UF9530L-TA3-T-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UF9530L-TA3-T-VB UF9530L-TA3-T-VB数据手册

UF9530L-TA3-T-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 2.9155
500+ ¥ 2.7989
1000+ ¥ 2.6823
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