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IRF623-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,200V,5A,RDS(ON),910mΩ@10V,1020mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO220
供应商型号: IRF623-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRF623-VB

IRF623-VB概述

    # 电子元器件产品技术手册解析

    产品简介


    IRF623-VB 是一款由 VBsemi 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于开关电源、直流电机驱动及功率转换等应用场合。这款 MOSFET 集成了 TrenchFET 技术,具有较高的功率密度和可靠性。其主要功能包括通过高频率的开关动作来控制电流的通断,适用于各种高效率的电力系统设计。

    技术参数


    以下是 IRF623-VB 的关键技术和性能参数:
    - 漏源电压 (VDS):200V
    - 栅源电压 (VGS):± 20V
    - 连续漏极电流 (ID):25 °C 时为 5.0A,100 °C 时为 4.0A
    - 脉冲漏极电流 (IDM):20A
    - 导通电阻 (RDS(on)):在 VGS=10V 时,最大值为 0.91Ω
    - 门极电荷 (Qg):最大值为 13nC
    - 最大功率耗散 (PD):在 25 °C 时为 42W,PCB安装时为 2.5W
    - 重复雪崩电流 (IAR):4.8A
    - 重复雪崩能量 (EAR):4.2mJ
    - 内部源极电感 (LS):最大值为 7.5nH
    - 内部漏极电感 (LD):最大值为 4.5nH

    产品特点和优势


    IRF623-VB 的显著特点包括:
    - 高耐温性能:工作温度范围可达 -55 至 +150°C,保证了广泛的适用范围。
    - 高效能:具有低导通电阻和高重复雪崩能力,适合需要频繁开关的应用场景。
    - 优化的开关性能:具备快速的开关时间和低反向恢复时间,减少损耗。
    - 符合环保标准:完全符合 RoHS 和无卤素标准,适合环保要求严格的应用。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    IRF623-VB 可以广泛应用于电力转换系统中,例如开关电源、电机驱动等。例如,在一个开关电源设计中,该器件可以作为主开关元件,利用其高效率和快速开关性能实现高效能的电源管理。
    使用建议
    - 散热设计:由于其高功率密度,必须设计有效的散热措施以避免过热。推荐采用较大面积的散热片或者水冷装置。
    - 布局优化:减小寄生电感的影响,确保电路板接地平面的设计合理,以降低电磁干扰。
    - 保护电路:在使用时应配备过压保护和过流保护电路,以防瞬态过电压损坏器件。

    兼容性和支持


    IRF623-VB 与多种电源管理系统和其他 MOSFET 配套使用效果良好。VBsemi 公司提供详尽的技术支持文档和在线服务,帮助客户更好地理解和使用这款产品。

    常见问题与解决方案


    1. Q:IRF623-VB 在高频开关下是否可靠?
    - A:是的,IRF623-VB 设计用于高频应用,其快速的开关性能使其成为高频应用的理想选择。但需要注意良好的散热设计以避免过热。
    2. Q:如何处理 IRF623-VB 的静电放电问题?
    - A:在装配过程中,确保佩戴防静电手环,并将器件储存在防静电包装袋中。安装时注意避免直接触摸器件引脚。

    总结和推荐


    总的来说,IRF623-VB 在电力转换和驱动系统中表现出色,尤其是在高效率和高温环境下。其卓越的电气特性和可靠性使其成为许多电力电子应用的理想选择。对于寻求高性能 MOSFET 的工程师和设计师来说,这款器件是值得考虑的选择。

IRF623-VB参数

参数
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
配置 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 200V
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 910mΩ@10V,1020mΩ@4.5V
Id-连续漏极电流 5A
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IRF623-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRF623-VB数据手册

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IRF623-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 1.9435
100+ ¥ 1.7996
500+ ¥ 1.7275
1000+ ¥ 1.6556
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