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PHP69N03LT-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单通道N沟道场效应晶体管(Single N),采用Trench工艺制造。它的主要参数包括:最大漏极-源极电压(VDS)为30V,最大栅极-源极电压(VGS)为±20V,阈值电压(Vth)为1.7V,以及在不同栅极-源极电压下的导通电阻等。该器件采用TO220封装,适用于各种应用场合。
供应商型号: PHP69N03LT-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) PHP69N03LT-VB

PHP69N03LT-VB概述


    产品简介


    PHP69N03LT 是一款采用TrenchFET®技术的N沟道30V(D-S)MOSFET。这款MOSFET的主要特点是具有低热阻封装,100%的Rg和UIS测试,以及卓越的电气性能。它广泛应用于电源管理、电机驱动和工业控制等领域。

    技术参数


    | 参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VGS=0V, ID=250μA | - | - | 30 | V |
    | 栅源阈值电压 | VDS=VGS, ID=250μA | 1.0 | 2.5 | - | V |
    | 零栅电压漏电流 | VGS=0V, VDS=30V | - | - | 1 | μA |
    | 正向传输电容 | VGS=0V, VDS=25V, f=1MHz | - | 1500 | - | pF |
    | 输出电容 | - | - | 1500 | - | pF |
    | 反向传输电容 | - | - | 1500 | - | pF |
    | 漏源导通电阻 | VGS=10V, ID=20A | - | 0.007 | - | Ω |
    | 前向导通电流 | VGS=10V | 70 | - | - | A |

    产品特点和优势


    1. 高可靠性:100%的Rg和UIS测试确保了产品的高可靠性和稳定性。
    2. 低热阻封装:采用低热阻封装,有效提高散热效率,延长使用寿命。
    3. 高开关速度:高频率下的开关性能优秀,适用于高频电路设计。
    4. 宽温度范围:-55°C至+175°C的工作温度范围使其适用于各种极端环境。

    应用案例和使用建议


    PHP69N03LT 在多种场合下均有广泛应用,例如电源管理模块中的开关电路、电机驱动器、工业自动化设备等。在实际应用中,为了充分发挥其性能,建议进行以下几点优化:
    1. 散热管理:由于其低热阻封装特性,应合理布置散热器,避免过热影响性能。
    2. PCB布局:尽量减少走线长度,以减少寄生电感的影响。
    3. 信号完整性:在高速开关操作时,注意布线长度一致性和匹配阻抗,避免信号反射。

    兼容性和支持


    PHP69N03LT 的标准封装为TO-220AB,可方便地与其他标准MOSFET产品互换。厂商提供全面的技术支持和服务,包括安装指南、应用手册和技术咨询等。

    常见问题与解决方案


    1. 散热不良导致的过温问题
    - 解决方案:增加散热片或风扇以改善散热效果。
    2. 开关损耗高
    - 解决方案:选择更低RDS(on)的产品或调整驱动电路,优化开关时间。
    3. 栅极振荡
    - 解决方案:添加合适的栅极电阻以抑制振荡。

    总结和推荐


    总体来看,PHP69N03LT是一款性能优越、适用广泛的N沟道MOSFET,适合用于电源管理和电机驱动等高要求的应用场合。其高可靠性、优良的散热性能和出色的开关速度,使其在市场上具备较强的竞争力。建议在需要高性能、高可靠性的场合优先考虑使用此产品。

PHP69N03LT-VB参数

参数
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 70A
Vds-漏源极击穿电压 30V
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 7mΩ@10V,10mΩ@4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.9V
配置 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

PHP69N03LT-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

PHP69N03LT-VB数据手册

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PHP69N03LT-VB封装设计

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