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NP90N04PDH-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,40V,180A,RDS(ON),2mΩ@10V,2.5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:TO263适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源开关、电动车辆和工业控制等领域的模块中。
供应商型号: NP90N04PDH-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NP90N04PDH-VB

NP90N04PDH-VB概述

    N-Channel 4 V (D-S) MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    N-Channel 4 V (D-S) MOSFET 是一款高性能的电子元器件,属于TrenchFET®功率MOSFET。它的主要功能是实现同步整流和电源供应,适用于高效率的开关电源设计。其紧凑的设计使其成为广泛应用的理想选择,包括消费电子产品、工业自动化设备及通信系统。

    2. 技术参数


    以下是该产品的关键技术参数:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏极-源极电压 | VDS 4 | V |
    | 栅极-源极电压 | VGS | ± 25 V |
    | 连续漏极电流 | ID | 150 A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | 380 A |
    | 反向恢复时间 | trr | 50 75 | ns |
    | 体二极管电压 | VSD | 0.8 1.2 | V |
    | 零栅压漏极电流 | IDSS | 1 10 | µA |
    | 开态漏极电流 | ID(on) 120 A |
    | 开态漏极-源极电阻 | RDS(on) 0.0017 (VGS=10V) | 0.0025 (VGS=4.5V) | Ω |
    | 输入电容 | Ciss 9000 pF |
    | 输出电容 | Coss 650 pF |
    | 反向传输电容 | Crss 450 pF |

    3. 产品特点和优势


    - TrenchFET®技术:采用先进的沟槽场效应晶体管技术,保证了高可靠性和低导通电阻。
    - 高电流能力:具备150A的连续漏极电流,可应用于需要高电流驱动的应用场合。
    - 快速开关:具有优异的开关性能,例如,栅极电荷低至120nC,适合高频开关应用。
    - 低损耗:开态电阻低至0.0017Ω(VGS=10V),确保低导通损耗,提高效率。
    - 高可靠性:100%经过栅极电阻和UIS测试,确保长期稳定运行。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:该MOSFET适用于各种电源管理电路中,如同步整流、DC-DC转换器、无线充电等。
    - 使用建议:在使用过程中应注意散热,特别是在高温环境下需加强散热措施,以保证长期稳定运行。此外,合理的PCB布局和去耦电容设计能进一步提升性能。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:该产品为标准D2PAK封装,与同类产品有良好的互换性。
    - 支持和服务:VBsemi提供全面的技术支持和售后服务,确保客户在使用过程中能够获得及时有效的帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:设备过热
    解决方案:增加散热片或风扇,改善散热条件,必要时降低工作频率。
    - 问题2:栅极噪声
    解决方案:检查线路屏蔽和接地设计,确保信号完整性和稳定性。
    - 问题3:启动延迟
    解决方案:调整栅极电阻,优化启动电路设计,减少延迟时间。

    7. 总结和推荐


    这款N-Channel 4 V (D-S) MOSFET具有出色的性能指标和广泛的应用前景,适用于多种电源管理领域。其高效的开关性能和可靠的电气特性使其在市场上具有较强的竞争力。综上所述,我们强烈推荐该产品用于高要求的电源管理和控制应用。

NP90N04PDH-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V~3V
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 2mΩ@10V,2.5mΩ@4.5V
配置 -
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 180A
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 40V
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NP90N04PDH-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NP90N04PDH-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NP90N04PDH-VB NP90N04PDH-VB数据手册

NP90N04PDH-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 5.3986
500+ ¥ 5.1826
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