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2SJ193-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-100V,-5A,RDS(ON),200mΩ@10V,240mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1~-3Vth(V) 封装:SOT89-3
供应商型号: 2SJ193-VB SOT89-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 2SJ193-VB

2SJ193-VB概述

    P-Channel 100-V (D-S) MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    P-Channel 100-V (D-S) MOSFET 是一款高性能的功率金属氧化物半导体场效应晶体管(Power MOSFET),特别适用于中间直流电源转换器中的主动钳位电路和照明应用中的H桥高侧开关。这款MOSFET采用了先进的TrenchFET技术,能够提供卓越的性能和可靠性。

    2. 技术参数


    - 基本参数
    - 漏源电压 (VDS): 100 V
    - 最大连续漏极电流 (ID): -3.0 A (TC = 25 °C), -2.1 A (TC = 70 °C)
    - 最大脉冲漏极电流 (IMD): -12 A
    - 最大单脉冲雪崩能量 (EAS): 11.25 mJ
    - 最大功率耗散 (PD): 6.5 W (TC = 25 °C), 4.8 W (TC = 70 °C)
    - 静态参数
    - 漏源击穿电压 (VDS): -100 V
    - 门限电压 (VGS(th)): -2 V 至 -4 V
    - 门源泄露电流 (IGSS): ±100 nA (VDS = 0 V, VGS = ±20 V)
    - 无门电压漏极电流 (IDSS): -1 μA (VDS = -100 V, VGS = 0 V)
    - 导通状态漏源电阻 (RDS(on)): 0.200 Ω (VGS = -10 V, ID = -3 A), 0.230 Ω (VGS = -6 V, ID = -2 A)
    - 动态参数
    - 输入电容 (CISS): 819 pF (VDS = -35 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz)
    - 输出电容 (COSS): 51 pF
    - 反向传输电容 (CRSS): 32 pF
    - 总门电荷 (QG): 17.5 nC (VDS = -50 V, VGS = -10 V, ID = -3 A), 13.2 nC (VDS = -50 V, VGS = -6 V, ID = -3 A)
    - 热参数
    - 最大结到环境热阻 (RthJA): 33 °C/W (≤10 s), 40 °C/W
    - 最大结到脚(漏极)热阻 (RthJF): 17 °C/W (稳态)

    3. 产品特点和优势


    P-Channel 100-V (D-S) MOSFET 的关键特点是其采用的TrenchFET技术,这种技术能够显著提高MOSFET的开关速度和降低导通电阻。此外,这款MOSFET经过100% Rg和UIS测试,确保了其在极端条件下的稳定性和可靠性。这些特性使其非常适合于高效率的电源转换和电机控制应用。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例
    - 主动钳位在中间直流/直流电源转换器中
    - H桥高侧开关在照明应用中
    - 使用建议
    在使用P-Channel 100-V (D-S) MOSFET时,应特别注意散热设计,以确保长期可靠运行。由于其较高的最大功率耗散能力,适当选择散热片可以显著提高设备的稳定性。另外,在布局设计时,需要考虑减少寄生电感和电容的影响,以提升整体性能。

    5. 兼容性和支持


    P-Channel 100-V (D-S) MOSFET 尺寸为SOT89封装,可以通过表面贴装技术直接安装在1" x 1" FR4板上。官方提供了详细的技术支持和文档资源,帮助用户更好地理解和应用该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 设备过热
    - 解决方案: 使用适当的散热器或散热片,并优化电路布局以减少热阻。
    - 问题: 开关损耗高
    - 解决方案: 调整栅极电阻以优化开关时间,从而减少损耗。
    - 问题: 雪崩能量不足
    - 解决方案: 确保正确选择散热措施,并在实际应用中进行必要的验证。

    7. 总结和推荐


    P-Channel 100-V (D-S) MOSFET 在多个方面表现出色,包括其高效能、可靠的制造工艺和广泛的应用范围。它特别适合于要求高效率和高性能的应用场景。鉴于其出色的性能和广泛的适用性,我们强烈推荐此产品用于各种电源转换和电机控制项目。
    联系方式:服务热线:400-655-8788

2SJ193-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 100V
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 5A
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 200mΩ@10V,240mΩ@4.5V
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -1V~-3V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个P沟道
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

2SJ193-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

2SJ193-VB数据手册

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2SJ193-VB封装设计

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