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JCS7N60FA-O-F-N-B-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO220F,具有高性能和可靠性,适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。650V,7A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V)
供应商型号: JCS7N60FA-O-F-N-B-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) JCS7N60FA-O-F-N-B-VB

JCS7N60FA-O-F-N-B-VB概述


    产品简介


    JCS7N60FA-O-F-N-B Power MOSFET
    JCS7N60FA-O-F-N-B 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由台湾 VBsemi Electronics Co., Ltd. 生产。它适用于服务器和电信电源供应系统、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源供应(PFC)及照明等领域,尤其在高功率应用中表现优异。JCS7N60FA-O-F-N-B 具备低栅极输入电容和超低栅极电荷,有助于减少开关和导通损耗,从而提高整体效率。

    技术参数


    主要技术规格
    - 最大漏源电压 (VDS):650 V
    - 最大漏极连续电流 (ID):30 A(当 TC = 25°C)
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM):非重复性,重复性受最大结温限制
    - 关态漏极-源极电阻 (RDS(on)):典型值为 1.0 Ω(当 VGS = 10 V,ID = 4 A)
    - 总栅极电荷 (Qg):典型值为 13 nC(当 VGS = 10 V,ID = 4 A,VDS = 520 V)
    - 最大耗散功率 (PD):140 W
    - 最大接面和存储温度范围 (TJ, Tstg):-55°C 至 +150°C
    工作环境
    - 最大结-外壳热阻 (RthJC):0.6°C/W
    - 最大结-环境热阻 (RthJA):63°C/W

    产品特点和优势


    独特功能
    - 低栅极电荷 (Qg):13 nC,有助于降低开关损耗。
    - 低输入电容 (Ciss):减少了栅极驱动功率需求。
    - 超高强度和耐用性:重复脉冲条件下,能承受高达 97 mJ 的单脉冲雪崩能量。
    - 优越的热稳定性:具有出色的散热性能,适用于高功率密度应用。
    优势
    - 高可靠性:在高温环境下仍保持优异性能。
    - 低损耗:通过优化的导通电阻和低栅极电荷设计,显著降低损耗。
    - 广泛的应用领域:适用于多种高功率电子设备,如电源供应系统和工业控制装置。

    应用案例和使用建议


    典型应用案例
    - 服务器和电信电源供应系统:适用于需要高效能、高可靠性的服务器电源模块。
    - 开关模式电源 (SMPS):能够提供高效的电压转换,适用于各种电子设备。
    - 工业应用:用于高功率驱动器和其他工业控制系统,保证长期稳定运行。
    使用建议
    - 温度管理:确保良好的散热设计,避免过热导致性能下降。
    - 电路布局优化:合理规划 PCB 布局,减少寄生电感和电容的影响,以提高系统效率。

    兼容性和支持


    兼容性
    - JCS7N60FA-O-F-N-B 与现有设备和其他电子元件高度兼容,易于集成到现有的电路系统中。
    - 提供标准 TO-220 FULLPAK 封装,便于安装和维护。
    支持
    - 台湾 VBsemi 提供详尽的技术文档和用户手册,涵盖安装、调试和故障排除。
    - 客户可以联系公司服务热线 400-655-8788 获取技术支持。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 问:如何判断该 MOSFET 是否过热?
    - 答:可以通过测量外壳温度或使用热成像仪检测,正常情况下外壳温度不应超过 80°C。
    2. 问:如何防止 MOSFET 过载损坏?
    - 答:确保设计合理的保护电路,例如增加保险丝或热断路器,并遵循手册中的建议电流限值。
    3. 问:栅极驱动信号不稳定怎么办?
    - 答:检查驱动电路,确保稳定的 VGS 信号和适当的栅极电阻。如果必要,可尝试减小栅极电阻以增强驱动能力。

    总结和推荐



    总结


    JCS7N60FA-O-F-N-B 是一款卓越的高性能 MOSFET,适用于各种高功率电子设备。其独特的低栅极电荷和低输入电容设计使其在高效率和可靠性方面表现出色。此外,该产品具备出色的散热性能和广泛的适用范围,使得其成为电源管理系统和其他高功率应用的理想选择。
    推荐
    强烈推荐 JCS7N60FA-O-F-N-B 用于服务器和电信电源供应系统、开关模式电源、功率因数校正电源供应及其他高功率应用。其优良的性能和可靠性将为用户提供出色的产品体验和安全保障。

JCS7N60FA-O-F-N-B-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 650V
FET类型 1个N沟道
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Id-连续漏极电流 7A
栅极电荷 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 1.1Ω@ 10V
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

JCS7N60FA-O-F-N-B-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

JCS7N60FA-O-F-N-B-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 JCS7N60FA-O-F-N-B-VB JCS7N60FA-O-F-N-B-VB数据手册

JCS7N60FA-O-F-N-B-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 3.2389
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