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N4040S-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,40V,50A,RDS(ON),12mΩ@10V,14mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.78Vth(V) 封装:TO252 由于其中等漏极电流和适中的漏极-源极电阻,可用于设计各种电源模块,如直流-直流(DC-DC)转换器和交流-直流(AC-DC)转换器。
供应商型号: N4040S-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) N4040S-VB

N4040S-VB概述


    产品简介


    N4040S N-Channel 40V MOSFET 是一款高性能的功率MOSFET,由台湾VBsemi Electronics Co., Ltd.生产。它采用先进的TrenchFET®工艺制造,具有高可靠性、低导通电阻(RDS(on))和良好的温度稳定性。这种MOSFET适用于多种应用场景,如OR-ing、服务器和DC/DC转换器等。该产品符合RoHS指令的要求,确保对环境无害。

    技术参数


    - 最大漏源电压 (VDS): 40 V
    - 最大栅源电压 (VGS): ±20 V
    - 连续漏电流 (ID):
    - TC = 25 °C 时: 15.8 A
    - TC = 70 °C 时: 12 A
    - 脉冲漏电流 (IDM): 200 A
    - 单脉冲雪崩电流 (IAS): 39 A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 94.8 mJ
    - 正向二极管电流 (ISM): 120 A
    - 最大功率耗散 (PD):
    - TC = 25 °C 时: 100 W
    - TC = 70 °C 时: 75 W
    - 工作结温范围: -55 °C 至 175 °C
    - 热阻:
    - 最大结到环境热阻 (RthJA): 32-40 °C/W
    - 最大结到外壳热阻 (RthJC): 0.5-0.6 °C/W

    产品特点和优势


    N4040S的主要特点包括:
    - TrenchFET®工艺:提供高效率和低功耗。
    - 100% Rg和UIS测试:确保可靠性和耐久性。
    - 符合RoHS标准:环保设计,适合绿色应用。
    - 低导通电阻 (RDS(on)):在VGS=10 V时仅为0.013 Ω,在VGS=4.5 V时为0.01 Ω。
    - 低栅极电荷 (Qg):典型值为2 nC,有助于减少开关损耗。
    - 高雪崩耐受能力:可以承受高达94.8 mJ的能量冲击。
    这些特点使N4040S成为高性能电源管理和电机控制应用的理想选择。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. OR-ing应用:N4040S可以在电源冗余系统中作为隔离二极管使用,确保系统在故障情况下仍能正常运行。
    2. 服务器应用:在服务器电源模块中,N4040S可以提高整体效率,降低能耗。
    3. DC/DC转换器:N4040S可以显著提升转换器的效率和稳定性。
    使用建议
    - 在高频开关应用中,使用低栅极电荷 (Qg) 的特性可以显著降低开关损耗。
    - 在高温环境中使用时,注意散热管理,以避免过热导致的性能下降。
    - 在系统设计中考虑合适的栅极电阻 (Rg),以优化开关速度和电磁干扰 (EMI)。

    兼容性和支持


    - 兼容性:N4040S采用了标准的TO-252封装,易于集成到现有的电路板设计中。
    - 支持和服务:台湾VBsemi提供了全面的技术支持,包括产品文档、应用指南和技术咨询。此外,还提供售后服务和产品保修。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 开关频率过高导致温度上升。
    - 解决办法: 确保电路中有足够的散热措施,例如增加散热片或改善空气流通。
    2. 问题: 栅极驱动电压不稳定。
    - 解决办法: 使用稳定的电源供应,并确保栅极驱动电路的接地良好。
    3. 问题: 开关过程中出现异常噪声。
    - 解决办法: 检查电路布局,特别是高速信号线的走线方式,尽量减少寄生电感和电容的影响。

    总结和推荐


    N4040S是一款高性能、低功耗的N-Channel 40V MOSFET,具备出色的可靠性、低导通电阻和高雪崩耐受能力。其广泛的应用场景和强大的技术参数使其在多种电力电子应用中表现出色。对于需要高效率和稳定性的电源管理项目,强烈推荐使用N4040S。

N4040S-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 12mΩ@10V,14mΩ@4.5V
配置 -
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 50A
Vds-漏源极击穿电压 40V
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.78V
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
通道数量 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

N4040S-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

N4040S-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 N4040S-VB N4040S-VB数据手册

N4040S-VB封装设计

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100+ ¥ 1.459
500+ ¥ 1.4006
2500+ ¥ 1.3423
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