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9487M-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,100V,9A,RDS(ON),32mΩ@10V,34mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.87Vth(V) 封装:SOP8
供应商型号: 9487M-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 9487M-VB

9487M-VB概述

    N-Channel 100V (D-S) MOSFET 技术手册

    产品简介


    N-Channel 100V (D-S) MOSFET 是一款高性能的功率场效应晶体管(MOSFET),适用于多种电源转换和驱动电路。它特别适合用于需要高效率和低开关损耗的应用,如开关电源、电机驱动、电池充电器和DC-DC转换器等。

    技术参数


    - 基本参数
    - 栅源电压 (VGS): ±20V
    - 漏极-源极电压 (VDS): 100V
    - 连续漏极电流 (ID): 9A (TC=25°C), 6A (TC=70°C)
    - 单脉冲雪崩电流 (IAS): 30A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 112mJ
    - 最大功率耗散 (PD): 14W (TC=25°C), 5W (TC=70°C)
    - 热阻 (RthJA): 33°C/W (最大)
    - 电气特性
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)): 0.032Ω (VGS=10V, ID=5A)
    - 输入电容 (Ciss): 1900pF (VDS=50V, VGS=0V, f=1MHz)
    - 输出电容 (Coss): 150pF
    - 反向传输电容 (Crss): 50pF
    - 总栅极电荷 (Qg): 28.5nC (VDS=75V, VGS=10V, ID=5A)
    - 动态特性
    - 开启延时时间 (td(on)): 14ns (VDD=50V, RL=10Ω, ID≅5A, VGEN=10V, Rg=1Ω)
    - 上升时间 (tr): 12ns
    - 关闭延时时间 (td(off)): 22ns
    - 下降时间 (tf): 6ns
    - 热特性
    - 工作温度范围 (TJ, Tstg): -55°C 到 150°C
    - 最大结到环境热阻 (RthJA): 33°C/W (最大)

    产品特点和优势


    1. 极低的Qgd:具有极低的栅漏电荷 (Qgd),有助于降低开关损耗。
    2. 100%测试保证:所有产品均经过100%栅极电阻 (Rg) 测试和雪崩测试 (Avalanche Test),确保可靠性。
    3. RoHS合规:符合RoHS指令2002/95/EC,适合环保要求严格的应用场景。
    4. 极低的导通电阻 (RDS(on)):在10V栅源电压下,RDS(on)仅为0.032Ω,提高了整体效率。
    5. 封装紧凑:采用SO-8封装,方便集成到各种电路设计中。

    应用案例和使用建议


    - 应用场景:
    - 主边开关 (Primary Side Switch)
    - 电机驱动器
    - 电池充电器
    - DC-DC转换器
    - 使用建议:
    - 在使用过程中,确保电路设计中考虑到高频率开关操作对散热的要求。
    - 考虑到高温环境下的可靠性,可以适当增加散热片以改善热管理。
    - 在高速开关应用中,注意优化门极驱动以减少开关损耗。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该产品与其他标准SO-8封装的电子元件兼容。
    - 支持:制造商提供详细的技术文档和客户支持,确保用户能够充分利用产品的性能和优势。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:栅极驱动不足导致导通延迟时间过长。
    - 解决办法:增加栅极电阻 (Rg) 的驱动能力,或使用专门的栅极驱动芯片。

    - 问题2:高温环境下功率耗散过大。
    - 解决办法:增加散热片,优化PCB布局,以提高热导出效率。

    总结和推荐


    这款N-Channel 100V (D-S) MOSFET 凭借其出色的性能参数和极低的导通电阻,非常适合应用于高效率、高频切换的应用场合。其独特的低Qgd特性使其在开关损耗控制方面表现出色。总体而言,该产品是一款性能优越、值得推荐的功率MOSFET。对于需要高效率和低开关损耗的应用,强烈推荐使用此款MOSFET。

9487M-VB参数

参数
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 32mΩ@10V,34mΩ@4.5V
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.87V
Vds-漏源极击穿电压 100V
Id-连续漏极电流 9A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
配置 -
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

9487M-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

9487M-VB数据手册

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9487M-VB封装设计

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