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4501M-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款双 N 型和 P 型沟道功率 MOSFET,采用槽沟技术制造。该产品具有双极性设计,能够同时控制正负极电流,适用于各种功率控制和开关应用。封装为 SOP8,易于安装和集成,适用于各种电路设计。±30V,9/-6A,RDS(ON),15/42mΩ@10V,19/50mΩ@4.5V,20Vgs(±V);±1.65Vth(V)
供应商型号: 4501M-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 4501M-VB

4501M-VB概述


    产品简介


    这款N-和P-沟道30V(D-S)MOSFET是一款采用TrenchFET®技术的高性能电源管理元件。它适用于多种应用场景,如电机驱动和便携式电源银行。其设计符合环保标准(IEC 61249-2-21),并且完全符合RoHS指令2002/95/EC的规定。

    技术参数


    以下是关键的技术规格和技术参数:
    | 参数 | N-Channel | P-Channel |
    |
    | 栅极-源极电压 | ± 20 V | ± 20 V |
    | 漏-源电压 | 30 V | 30 V |
    | 持续漏极电流(TJ = 150 °C) | 8 e | 8 e |
    | 最大脉冲漏极电流(10 µs脉宽) | 40 A | 40 A |
    | 零栅极电压漏极电流 | 1 µA | - 1 µA |
    | 正向转移电导 | 27 S | 25 S |
    | 输入电容(VDS = 20 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz) | 510 pF | 620 pF |
    | 开启延时时间(td(on)) | 4 ns 至 8 ns | 10 ns 至 16 ns |
    | 反向恢复时间 | 12 ns 至 25 ns | 31 ns 至 57 ns |

    产品特点和优势


    这款MOSFET的主要特点是低导通电阻(0.018Ω@VGS = 10 V, ID = 6.8 A),高可靠性和耐用性(100% Rg和UIS测试)。它的快速开关特性使其在高频应用中表现优异,而低温系数则有助于保持稳定的工作温度范围。此外,其独特的设计可以有效降低功耗,提高效率。

    应用案例和使用建议


    这款MOSFET广泛应用于电机驱动系统和移动电源银行中。在电机驱动应用中,它可以有效地控制电机的启动和停止过程,减少能量损失。对于便携式电源银行,这款MOSFET能够提供高效的能源管理和可靠的电力输出。为了确保最佳性能,建议在选择合适的散热器和电路布局时进行详细规划,并遵循制造商提供的应用指南。

    兼容性和支持


    该产品兼容标准的SO-8封装,因此易于安装在现有的电路板上。VBsemi公司为用户提供全面的支持,包括技术文档、应用指南和客户服务热线(400-655-8788),以便及时解决使用过程中遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:漏极电流过高导致过热
    - 解决方案:增加外部散热措施或调整工作条件以降低漏极电流。
    2. 问题:开关速度慢
    - 解决方案:检查电路设计和组件匹配度,必要时更换更适合的MOSFET型号。
    3. 问题:零栅极电压漏极电流不稳定
    - 解决方案:确认电路连接正确,无虚焊现象,并适当调节工作电压。

    总结和推荐


    综上所述,这款N-和P-沟道30V MOSFET以其出色的性能和可靠性成为一款理想的电源管理元件。无论是电机驱动还是便携式电源银行的应用场景,都表现出色。强烈推荐在这些应用中使用这款产品。如果您有任何疑问或需要进一步的技术支持,请联系VBsemi的技术支持团队。

4501M-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 15/42mΩ@10V,19/50mΩ@4.5V
FET类型 N+P沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 ±1.65V
Id-连续漏极电流 9A,6A
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 ±30V
栅极电荷 -
配置 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

4501M-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

4501M-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 4501M-VB 4501M-VB数据手册

4501M-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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4000+ ¥ 1.1597
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