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4963GEM-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n双P沟道,-30V,-7A,RDS(ON),35mΩ@10V,48mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.5Vth(V) 封装:SOP8\n双通道功率场效应管,适用于需要高功率和高耐压的应用场景,包括电源开关、电机控制、汽车电子和LED照明等领域的相关模块。
供应商型号: 4963GEM-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 4963GEM-VB

4963GEM-VB概述

    Dual P-Channel 30-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    这款 Dual P-Channel 30-V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一款高性能的功率器件,适用于负载开关等多种应用场合。该器件采用先进的 TrenchFET® 技术制造,具备出色的电气特性和可靠性。

    技术参数


    - 漏源电压(VDS):-30V
    - 最大连续漏极电流(ID):-7.3A(TC=25°C)
    - 漏源导通电阻(RDS(on)):
    - 在 VGS = -10 V 时为 0.029Ω
    - 在 VGS = -4.5 V 时为 0.039Ω
    - 总栅极电荷(Qg):
    - 在 VGS = -10 V 时为 32 nC
    - 在 VGS = -4.5 V 时为 15 nC
    - 零栅源电压漏极电流(IDSS):≤ -1 μA
    - 正向转导电导率(gfs):23 S(VDS = -10 V, ID = -6.1 A)
    - 反向恢复时间(trr):34-60 ns
    - 反向恢复电荷(Qrr):22-40 nC
    - 工作温度范围:-55°C 至 150°C
    - 最大功率耗散:5.0 W(TC=25°C)

    产品特点和优势


    - 环保材料:无卤素设计,符合RoHS标准,适合环保要求较高的应用场景。
    - 低导通电阻:优秀的 RDS(on) 参数确保较低的损耗和较高的效率。
    - 高可靠性:100% UIS测试通过,保证器件的长期稳定运行。
    - 高速响应:反向恢复时间短,适用于高频开关应用。

    应用案例和使用建议


    - 负载开关:用于直流电路中的开关控制,例如电源管理和电池管理系统。
    - 电机驱动:可应用于电动机的启动和停止控制。
    - 建议使用:在使用该器件进行负载开关设计时,建议选择合适的散热片以保证良好的热管理。另外,在选择驱动电路时应注意栅极电阻的选择,以避免过度振荡和损坏器件。

    兼容性和支持


    - 封装类型:SO-8
    - 与同类器件的兼容性良好,可根据具体需求选择不同类型的封装。
    - 制造商支持:VBsemi提供全面的技术支持和售后服务,如需更多信息,可联系400-655-8788。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:器件发热严重
    - 解决方案:检查散热设计是否合理,适当增加散热片面积或改进散热路径。
    - 问题2:栅极驱动电压不正确
    - 解决方案:重新检查驱动电路,确保栅极驱动电压符合器件的要求。

    总结和推荐


    总体来看,这款 Dual P-Channel 30-V MOSFET 具备卓越的性能和广泛的应用范围。其低导通电阻和高速响应特性使其在负载开关、电机驱动等领域具有显著的优势。如果您需要一款高性能的 P 沟道 MOSFET,强烈推荐使用该型号。

4963GEM-VB参数

参数
配置 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 35mΩ@10V,48mΩ@4.5V
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
FET类型 1个P沟道
Id-连续漏极电流 7A
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

4963GEM-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

4963GEM-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 4963GEM-VB 4963GEM-VB数据手册

4963GEM-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.3614
100+ ¥ 1.2606
500+ ¥ 1.2101
4000+ ¥ 1.1597
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