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UTT36N05-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,50A,RDS(ON),24mΩ@10V,28mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO220 是一款单通道N沟道场效应管,具有适中的电压容限和漏极电流,适用于中功率应用场景。
供应商型号: 14M-UTT36N05-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UTT36N05-VB

UTT36N05-VB概述

    # UTT36N05 N-Channel MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    UTT36N05是一款由VBsemi推出的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用TO-220AB封装形式,提供表面贴装和卷带式两种选择。该器件具有卤素无害、符合RoHS标准的特点,适合多种电子应用领域,如开关电源、电机驱动、照明控制及新能源汽车等。其额定电压为60V,电流能力达50A,是高效率、快速开关的理想选择。

    技术参数


    以下是从技术手册中提取的核心技术参数:
    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏极-源极电压 | VDS | - | 60 | - | V |
    | 门极-源极电压 | VGS | ±10 | - | ±10 | V |
    | 持续漏极电流(TC=25℃)| ID | - | 50 | - | A |
    | 持续漏极电流(TC=100℃)| ID | - | 36 | - | A |
    | 节点到环境热阻率 | RthJA | - | 62 | - | °C/W |
    | 漏极-源极导通电阻 | RDS(on) | 0.024 | - | 0.028 | Ω |
    | 门电荷 | Qg | - | 66 | - | nC |
    其他关键参数还包括动态dv/dt等级、逻辑电平门驱动能力和快速切换特性。

    产品特点和优势


    UTT36N05的主要优势体现在以下几个方面:
    - 绿色环保:符合IEC 61249-2-21标准,采用无卤素设计,满足环保需求。
    - 高效率:低导通电阻(RDS(on)),显著降低功耗,提升能效。
    - 高速响应:优秀的动态特性和快速开关性能,非常适合高频应用场合。
    - 可靠性强:严格的测试条件确保其在严苛环境下稳定运行。

    应用案例和使用建议


    UTT36N05广泛应用于多种场景中,例如:
    1. 电源管理:作为开关管用于DC-DC转换器或AC-DC整流电路中。
    2. 电机驱动:适用于步进电机、伺服系统等需要高功率输出的应用。
    3. LED驱动:因其快速开关特性,在LED照明控制中有广泛应用。
    使用时需注意:
    - 在高温环境中工作时要适当降额使用以保证长期稳定性;
    - 确保良好的散热设计以避免因过热而失效。

    兼容性和支持


    UTT36N05与市面上主流的PCB板兼容良好,可轻松集成至现有系统中。VBsemi公司提供详尽的技术文档和技术支持服务,帮助客户解决开发过程中遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    以下是根据手册内容整理出的一些常见问题及其解决方法:
    1. 问题:通电后发热严重
    - 解决方案:检查安装是否正确,确保有足够的散热措施;必要时调整工作参数。

    2. 问题:工作温度超出范围
    - 解决方案:使用合适的热管理系统,比如增加风扇或者水冷装置来维持适宜的工作温度区间。

    总结和推荐


    总体而言,UTT36N05凭借出色的性能表现,在众多应用场景中展现了卓越的能力。无论是从技术指标还是实际应用效果来看,都值得高度评价。如果您正在寻找一款既能满足高效能要求又能兼顾环境友好性的MOSFET器件,那么UTT36N05无疑是一个理想的选择。强烈推荐给需要高性能MOSFET解决方案的专业人士和企业用户。

UTT36N05-VB参数

参数
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 24mΩ@10V,28mΩ@4.5V
Id-连续漏极电流 50A
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.8V
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

UTT36N05-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UTT36N05-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
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UTT36N05-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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10+ ¥ 2.3858
30+ ¥ 2.1293
100+ ¥ 1.5955
1000+ ¥ 1.5358
3000+ ¥ 1.4911
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