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K4085LS-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,550V,18A,RDS(ON),260mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO220F 一款Single N场效应管,具有适中的漏极电流(ID)和漏极-源极电压(VDS),适用于低至中功率电源模块、工业电机驱动模块。
供应商型号: K4085LS-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K4085LS-VB

K4085LS-VB概述

    K4085LS-VB N-Channel 550V Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    K4085LS-VB是一款N沟道550V(漏-源电压)功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。这种类型的电子元器件以其低功耗、高效率和出色的开关特性而著称,广泛应用于消费电子产品、服务器和电信电源供应系统、工业焊接、感应加热、电机驱动等领域。本产品具备低面积特异性导通电阻(Low Area Specific On-Resistance)、低输入电容(Ciss)及快速开关等特性,确保了其在各种应用中的高性能表现。

    2. 技术参数


    - 漏源电压 (VDS): 550V
    - 栅源阈值电压 (VGS(th)): 2V至4V
    - 最大连续漏极电流 (ID): 18A (TC=25°C),11A (TC=100°C)
    - 栅源电荷 (Qgs): 12nC
    - 栅漏电荷 (Qgd): 25nC
    - 总栅电荷 (Qg): 80至150nC
    - 零栅电压漏极电流 (IDSS): 1μA (VDS=500V, VGS=0V)
    绝对最大额定值
    - 漏源电压 (VDS): 550V
    - 栅源电压 (VGS): ±20V
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 56A
    - 最大功率耗散 (PD): 60W
    - 连续工作温度范围 (TJ, Tstg): -55°C 至 +150°C

    3. 产品特点和优势


    Optimal Design:
    - 低面积特异性导通电阻 (Low Area Specific On-Resistance)
    - 低输入电容 (Ciss)
    - 减少的电容切换损耗 (Reduced Capacitive Switching Losses)
    - 增强的体二极管鲁棒性 (High Body Diode Ruggedness)
    - 雪崩能量额定值 (Avalanche Energy Rated)
    Optimal Efficiency and Operation:
    - 低成本
    - 简单的栅极驱动电路 (Simple Gate Drive Circuitry)
    - 低功耗因素 (Low Figure-of-Merit: Ron x Qg)
    - 快速开关 (Fast Switching)
    这些特点使得K4085LS-VB在多个应用领域中表现出色,尤其是在需要高效率和可靠性的场合。

    4. 应用案例和使用建议


    K4085LS-VB可广泛应用于多个领域,包括但不限于:
    - 消费电子产品: 如LCD或等离子电视显示器
    - 服务器和电信电源供应系统: 如开关模式电源 (SMPS)
    - 工业: 如焊接、感应加热、电机驱动
    - 电池充电器
    - 功率因数校正 (PFC)
    使用建议:
    1. 负载匹配: 确保漏极电流 (ID) 不超过产品规格。
    2. 散热管理: 在高温环境下使用时需注意散热,以避免过热。
    3. 栅极驱动设计: 使用简单的栅极驱动电路,确保栅源电压 (VGS) 的稳定性和可靠性。

    5. 兼容性和支持


    K4085LS-VB可与同类N沟道MOSFET产品互换使用,确保与现有系统兼容。厂商提供详尽的技术文档和支持服务,帮助客户快速上手并解决问题。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 漏极电流过高 | 检查负载电流是否超过最大额定值,适当降低工作电流 |
    | 开关损耗增加 | 优化电路布局,降低寄生电感,提高驱动速度 |
    | 散热不足 | 改善散热设计,增加散热片或采用更高效的散热方案 |

    7. 总结和推荐



    总结

    :
    K4085LS-VB是一款高效、可靠的N沟道550V功率MOSFET,适用于多种复杂且要求严格的工业和商业应用。其卓越的电气特性和稳定的性能使其在市场上具有很强的竞争力。
    推荐:
    强烈推荐K4085LS-VB用于需要高性能、高效率和高可靠性的应用环境中,尤其是消费电子产品、工业控制和电源管理系统。

K4085LS-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
Vds-漏源极击穿电压 550V
最大功率耗散 -
配置 -
Id-连续漏极电流 18A
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 260mΩ@ 10V
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

K4085LS-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K4085LS-VB数据手册

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K4085LS-VB封装设计

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