处理中...

首页  >  产品百科  >  KF7N80F-VB

KF7N80F-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,800V,5A,RDS(ON),1300mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220F
供应商型号: KF7N80F-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) KF7N80F-VB

KF7N80F-VB概述

    KF7N80F N-Channel 800V (D-S) Super Junction Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    KF7N80F 是一款高性能的 N-Channel 超级结功率 MOSFET,适用于多种高电压和高电流应用场合。该器件具有优异的动态 dv/dt 特性、重复性雪崩额定值及简单驱动要求等特点,广泛应用于电源转换、电机驱动和照明系统等领域。

    技术参数


    - VDS(漏源击穿电压):800V
    - RDS(on)(导通电阻):1.2Ω(@VGS = 10V)
    - Qg(栅极总电荷):200nC
    - Qgs(栅源电荷):24nC
    - Qgd(栅漏电荷):110nC
    - IS(连续源-漏二极管电流):5.0A
    - ISM(脉冲二极管正向电流):21A
    - dV/dt(峰值二极管恢复电压变化率):2.0V/ns
    - trr(二极管反向恢复时间):650至980ns
    - 最大功率耗散(TJ = 25°C):190W
    - 工作温度范围:-55°C 至 +150°C
    - 绝对最大额定值
    - VDS:800V
    - VGS:±30V
    - 连续漏电流(TC = 25°C):5A
    - 冲击漏电流:21A
    - 单脉冲雪崩能量:770mJ
    - 重复雪崩电流:7.8A
    - 重复雪崩能量:19mJ

    产品特点和优势


    KF7N80F 的特点使其在多种应用场景中表现出色:
    - 动态dv/dt特性:高可靠性,适用于高速开关应用。
    - 重复性雪崩额定值:增强耐用性和可靠性。
    - 隔离中心安装孔:便于安装和散热。
    - 快速切换:降低开关损耗,提高效率。
    - 简单的驱动需求:简化电路设计,减少驱动器成本。
    - RoHS合规:符合环保标准,适用于绿色电子产品。

    应用案例和使用建议


    KF7N80F 广泛应用于电源管理、电机驱动和LED照明等领域。例如,在一个典型的应用中,KF7N80F 可以用于高频逆变器中,通过其高速开关能力显著提升系统效率。使用时,建议选择合适的驱动器并确保散热良好,以充分利用其性能优势。

    兼容性和支持


    KF7N80F 与市场上常见的控制芯片和驱动电路兼容,支持主流的PWM信号控制。制造商提供了详尽的技术支持文档和在线咨询服务,帮助客户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题:如何避免热过载?
    - 解决方案:确保良好的散热设计,如使用散热片或风扇辅助散热,同时注意不要超过最大功率耗散限制。
    - 问题:如何正确驱动KF7N80F?
    - 解决方案:根据应用需求选择合适的驱动器,并参考制造商提供的驱动电路设计示例进行布线。

    总结和推荐


    KF7N80F 是一款高效、可靠的 N-Channel 超级结功率 MOSFET,适用于需要高电压和高电流处理的应用。其优异的性能、简单的驱动要求和出色的耐久性使其在市场上具有很强的竞争力。我们强烈推荐使用该产品来提升系统的性能和效率。

KF7N80F-VB参数

参数
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 30V
Id-连续漏极电流 5A
配置 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 800V
Rds(On)-漏源导通电阻 1.3Ω@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
通道数量 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

KF7N80F-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

KF7N80F-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 KF7N80F-VB KF7N80F-VB数据手册

KF7N80F-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 5.8305
100+ ¥ 5.3986
500+ ¥ 5.1826
1000+ ¥ 4.9667
库存: 400000
起订量: 10 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 58.3
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504