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FQP2N50-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 一款单N型功率MOSFET,具有高性能和可靠性。该产品适用于各种功率电子应用,提供可靠的电气特性和稳定的性能。 N沟道,650V,2A,RDS(ON),3120mΩ@10V,3900mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO220
供应商型号: FQP2N50-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FQP2N50-VB

FQP2N50-VB概述

    FQP2N50-VB N-Channel 650V MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    FQP2N50-VB 是一款 N 沟道 650V 功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于多种高电压应用。 其主要功能是作为开关器件,用于转换高电压和大电流。这款 MOSFET 广泛应用于电源转换系统、电机驱动、焊接设备、电源逆变器和其他需要高压和高电流的应用场景。

    2. 技术参数


    - 主要参数
    - VDS(漏源电压):650V
    - RDS(on)(导通电阻):4.0Ω(VGS=10V)
    - Qg(总栅极电荷):11nC(最大值)
    - Qgs(栅源电荷):2.3nC
    - Qgd(栅漏电荷):5.2nC
    - 配置:单个器件
    - 符合 ROHS 标准:是
    - 绝对最大额定值
    - 最大漏源电压:650V
    - 最大栅源电压:±30V
    - 连续漏极电流(TC=25°C):1.28A
    - 重复脉冲漏极电流:8A
    - 单一脉冲雪崩能量:165mJ
    - 重复雪崩电流:2A
    - 重复雪崩能量:6mJ
    - 最大功率耗散(TC=25°C):45W
    - 峰值二极管恢复 dv/dt:2.8V/ns
    - 存储温度范围:-55°C 至 +150°C

    3. 产品特点和优势


    - 低栅极电荷:Qg=11nC,有助于简化驱动需求。
    - 增强的门极、雪崩和动态 dv/dt 耐久性:提高了可靠性。
    - 完全表征的电容和雪崩电压及电流:确保稳定的工作性能。
    - 符合 RoHS 标准:环保且符合欧盟法规要求。
    - 低热阻抗:有助于散热,延长使用寿命。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 电源转换器:适用于高压电源转换器,如直流到交流逆变器。
    - 电机驱动:可用于驱动高压电机,提高能效。
    - 焊接设备:适合用于需要高功率密度的应用场合。
    使用建议:
    - 散热管理:合理设计散热片,以应对大电流工作时产生的热量。
    - 驱动电路设计:选择合适的栅极驱动电阻,减少栅极充电时间,提高开关速度。
    - 布局考虑:减少寄生电感,提供良好的接地平面,降低漏电流。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:与标准 TO-220AB 封装兼容,易于安装和替换。
    - 厂商支持:提供详细的技术文档和在线技术支持,便于用户了解产品特性和解决常见问题。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:过高的栅极电压导致器件损坏。
    - 解决方案:确保栅极电压不超过 ±30V。
    - 问题2:器件在高电流工作时过热。
    - 解决方案:设计有效的散热系统,保持器件温度低于最高允许值。

    7. 总结和推荐


    FQP2N50-VB 在高电压应用中表现出色,具有优秀的电气特性和可靠的性能。其低栅极电荷、增强的耐久性和完全表征的参数使其成为许多高压应用的理想选择。推荐在需要高性能 MOSFET 的应用中使用此产品。
    希望以上内容能够帮助您更好地理解和使用 FQP2N50-VB MOSFET。如果您有任何疑问或需要更多技术支持,请联系我们的服务热线:400-655-8788 或访问官网:www.VBsemi.com。

FQP2N50-VB参数

参数
栅极电荷 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 3120mΩ@10V,3900mΩ@4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
Vds-漏源极击穿电压 650V
Id-连续漏极电流 2A
最大功率耗散 -
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

FQP2N50-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FQP2N50-VB数据手册

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FQP2N50-VB封装设计

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