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6N50G-TA3-T-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,600V,8A,RDS(ON),780mΩ@10V,1070mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO220\n适用于电源管理模块,如开关电源、电池充放电管理系统等,提供稳定、高效的电力控制和保护
供应商型号: 6N50G-TA3-T-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 6N50G-TA3-T-VB

6N50G-TA3-T-VB概述

    # 6N50G-TA3-T-VB 技术手册

    产品简介


    6N50G-TA3-T-VB 是一款高性能的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于开关模式电源(SMPS)、不间断电源(UPS)以及其他高速电力开关系统中。该产品具有低栅极电荷Qg,简化了驱动要求,同时具有改进的栅极、雪崩和动态dV/dt坚固性。它还具备全面表征的电容及雪崩电压和电流。

    技术参数


    以下是6N50G-TA3-T-VB的主要技术参数:
    - 最大漏源电压 \( V{DS} \): 600V
    - 栅源阈值电压 \( V{GS(th)} \): 2.0~4.0V
    - 最大漏源导通电阻 \( R{DS(on)} \): 0.780Ω(\( V{GS} \)=10V)
    - 最大栅极总电荷 \( Qg \): 49nC
    - 最大脉冲漏电流 \( I{DM} \): 37A
    - 最高功率耗散 \( PD \): 170W
    - 最大单脉冲雪崩能量 \( E{AS} \): 290mJ
    - 重复雪崩电流 \( I{AR} \): 8.0A
    - 重复雪崩能量 \( E{AR} \): 17mJ
    工作环境
    - 最高工作温度 \( TJ \): 150°C
    - 最大结至外壳热阻 \( R{thJC} \): 0.75°C/W
    - 最高结至环境热阻 \( R{thJA} \): 62°C/W
    电气特性
    - 驱动电阻 \( RG \): 9.1Ω
    - 漏源体二极管最大正向电流 \( IS \): 9.2A
    - 漏源体二极管反向恢复时间 \( t{rr} \): 530ns(@TJ = 25°C)

    产品特点和优势


    - 低栅极电荷:使得驱动要求简单化,降低了控制系统的复杂度。
    - 增强的耐用性:改进了栅极、雪崩和动态dV/dt的坚固性,提高了产品的可靠性。
    - 全面的特性参数:提供了详细的电容、电压和电流参数,便于工程师进行系统设计。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    6N50G-TA3-T-VB 主要应用于开关模式电源(SMPS)和不间断电源(UPS)。在这些应用中,它作为主开关或辅助开关来实现高效的电力转换。
    使用建议
    1. 温度管理:确保使用环境温度不超过最高工作温度150°C,以防止过热。
    2. 布局设计:在PCB设计时,注意降低寄生电感,增加地平面面积,减少泄漏电感。
    3. 测试电路:建议使用标准测试电路(如图12a所示)进行未钳位电感测试,确保产品在实际应用中的稳定性和可靠性。

    兼容性和支持


    该产品与其他标准的N沟道MOSFET在电气参数上具有良好的兼容性,适合多种不同类型的电源系统。VBsemi公司提供详尽的技术支持和售后服务,包括技术文档、软件工具和专业咨询。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关过程中出现过压现象 | 确保电容和电感匹配,适当调整驱动电路 |
    | 产品散热不良 | 使用合适的散热片,并保证散热通道畅通 |
    | 长期使用后性能下降 | 定期检测并更换可能老化的产品 |

    总结和推荐


    综上所述,6N50G-TA3-T-VB是一款优秀的N沟道功率MOSFET,在开关电源和不间断电源等领域有着广泛的应用前景。它的低栅极电荷和高可靠性的特点使其在市场上具有较强的竞争力。我们强烈推荐在需要高效电力转换的应用中采用这款产品。
    如有更多疑问或需求,欢迎随时联系我们:400-655-8788。

6N50G-TA3-T-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 780mΩ@10V,1070mΩ@4.5V
配置 -
最大功率耗散 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
Id-连续漏极电流 8A
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 600V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

6N50G-TA3-T-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

6N50G-TA3-T-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 6N50G-TA3-T-VB 6N50G-TA3-T-VB数据手册

6N50G-TA3-T-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.1091
100+ ¥ 2.8788
500+ ¥ 2.7636
1000+ ¥ 2.6485
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