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J209-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-100V,-1.5A,RDS(ON),500mΩ@10V,560mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-2.5Vth(V) 封装:SOT23-3
供应商型号: J209-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) J209-VB

J209-VB概述

    P-Channel 100-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    本手册描述的是VBsemi公司生产的P-Channel 100-V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这是一种专为高可靠性、低功耗应用设计的高性能电子元器件。主要功能是作为开关或放大器使用,适用于各种电力转换电路,特别是直流电源供应中的主动钳位电路。

    技术参数


    以下是该P-Channel MOSFET的主要技术规格:
    - 电压范围: -100V(漏极到源极)
    - 最大连续漏电流: -1.65A(Ta=25°C)
    - 脉冲漏电流: -3.0A
    - 最大单脉冲雪崩电流: 4.5A
    - 单脉冲雪崩能量: 1.01mJ
    - 最大功率耗散: 2.0W(Ta=25°C)
    - 绝对最大结温: -55°C 至 +150°C
    - 最大热阻: 瞬态时最大结-环境热阻为100°C/W,稳态时最大结-引脚(漏极)热阻为50°C/W

    产品特点和优势


    - 卤素自由: 符合IEC 61249-2-21标准
    - TrenchFET®技术: 提供超低导通电阻
    - 超小尺寸: 适用于空间受限的应用场合
    - 低功耗: 高效的能源管理能力

    应用案例和使用建议


    此MOSFET适用于多种电力转换应用,特别是直流电源供应中的主动钳位电路。为了获得最佳性能,在设计和使用过程中应注意以下几点:
    - 在高温环境中使用时要确保散热良好,以避免过热损坏。
    - 设计电路时需考虑MOSFET的寄生电容和电感的影响,特别是在高速开关条件下。
    - 使用PWM控制时要注意脉宽的限制。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 适用于大多数标准电路板和模块
    - 支持: 提供详尽的技术文档和支持服务,包括设计指南和技术支持团队

    常见问题与解决方案


    1. 过热问题: 解决方法是在设计中加入更好的散热机制,如增加散热片或风扇。
    2. 导通电阻问题: 确保VGS达到足够值以保证导通状态下的低电阻。
    3. 开关时间问题: 检查外部电路和负载条件,确保满足最佳开关频率要求。

    总结和推荐


    总体来看,VBsemi的P-Channel 100-V MOSFET具有出色的性能和可靠的稳定性,特别适合于需要高效能和高可靠性的应用场景。我们强烈推荐在类似的电路设计中采用这款产品。无论是从性能还是从长期可靠性角度来看,它都是一款非常值得信赖的选择。

J209-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 1.5A
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 500mΩ@10V,560mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 100V
FET类型 1个P沟道
通道数量 -
配置 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

J209-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

J209-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 J209-VB J209-VB数据手册

J209-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
35+ ¥ 0.7779
100+ ¥ 0.7203
500+ ¥ 0.6915
3000+ ¥ 0.6627
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