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K3407_06-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 一款单N沟道MOSFET,具有650V的漏极-源极电压(VDS),30V的门-源电压(VGS),以及3.5V的阈值电压(Vth)。采用平面工艺制造,具有TO220F封装,适用于各种应用场景
供应商型号: K3407_06-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3407_06-VB

K3407_06-VB概述

    K340706-VB N-Channel 650V Power MOSFET 技术手册概述

    产品简介


    K340706-VB 是一款 N-沟道 650V 功率 MOSFET,具有低栅极电荷(Qg)和低输入电容(Ciss),适用于各种电源应用。该产品具备优秀的开关性能和导通损耗控制能力,适用于服务器和电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电源以及照明等领域。

    技术参数


    - 电压等级:VDS(漏源电压)最大为650V
    - 最大连续漏电流:TJ = 150°C时,TC = 25°C 为12A;TC = 100°C 为9.4A
    - 最大脉冲漏电流:IDM 为45A
    - 导通电阻:在25°C时,VGS = 10V 下为未具体说明(Ω)
    - 总栅极电荷:最大为43nC
    - 输入电容:在VGS = 0V,VDS = 100V,f = 1MHz 下为未具体说明(pF)
    - 输出电容:未具体说明
    - 有效输出电容(能量相关):Co(er) 为63pF
    - 有效输出电容(时间相关):Co(tr) 为213pF
    - 栅源电荷:Qgs 为5nC
    - 栅漏电荷:Qgd 为22nC
    - 关断延迟时间:td(off) 为81至90ns
    - 反向恢复时间:trr 为345ns
    - 最大功率耗散:PD 为3.6W/°C
    - 绝对最大额定值:VDS 为650V,VGS 为±30V
    - 工作温度范围:TJ 和 Tstg 为-55°C 到 +150°C

    产品特点和优势


    - 低开关损耗:K340706-VB 具备出色的开关性能,能够显著降低电路中的开关损耗。
    - 低导通电阻:在25°C下,VGS = 10V 时,导通电阻RDS(on) 非常低,从而减少传导损耗。
    - 高可靠性:在重复条件下,器件能承受高达4.5A 的电流冲击,保证长期稳定运行。
    - 兼容逻辑电平驱动:VGS = 5V 时仍能正常工作,适用于逻辑电平驱动的应用场景。

    应用案例和使用建议


    - 服务器和电信电源:利用其高可靠性及低损耗,可有效提升电源转换效率。
    - 工业应用:适合需要高可靠性和稳定性的工作环境。
    - 照明:用于高压 HID 照明系统,提供高效能且稳定的电流供应。
    使用建议:
    - 散热管理:由于较高的功率耗散,需要良好的散热设计以确保器件正常工作。
    - 负载匹配:确保电源负载不超过器件的最大额定电流,以防止过载导致损坏。

    兼容性和支持


    - 兼容性:适用于广泛的工业和消费类电子产品,与其他同类器件相比具有较好的兼容性。
    - 支持和服务:制造商提供详尽的技术文档和支持服务,便于用户进行开发和应用。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:开机时器件出现异常发热现象。
    - 解决方案:检查散热设计是否合理,确保散热片安装正确且接触良好。

    - 问题2:长时间工作后出现性能下降。
    - 解决方案:定期进行电气性能测试,并保持良好的工作环境温度。

    总结和推荐


    K340706-VB N-Channel 650V 功率 MOSFET 以其出色的开关性能、低导通电阻和高可靠性,在电源管理和工业应用领域表现出色。尽管初期投入可能较高,但其在性能和寿命方面的优势使其成为许多应用的理想选择。对于需要高效能、高可靠性的电源转换应用,强烈推荐使用此产品。

K3407_06-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 12A
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 680mΩ@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K3407_06-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3407_06-VB数据手册

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K3407_06-VB封装设计

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