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JCS15N60CH-O-C-N-B-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220 用于工业电机调速控制的电力电子调速器中,该型号的MOSFET可以实现高效的电能转换和调节,提高设备的运行效率。
供应商型号: JCS15N60CH-O-C-N-B-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) JCS15N60CH-O-C-N-B-VB

JCS15N60CH-O-C-N-B-VB概述


    产品简介


    JCS15N60CH-O-C-N-B-VB 是一款 N-Channel 超级结 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有高电压耐受能力(650V)和低导通电阻(0.19Ω)。这种高性能 MOSFET 广泛应用于多种电子系统,如电信设备、照明系统、消费电子及计算设备、工业设备、可再生能源系统(特别是太阳能光伏逆变器)以及开关模式电源供应器(SMPS)等。

    技术参数


    - 基本参数
    - 最大漏源电压 \(V{DS}\): 650V
    - 导通电阻 \(R{DS(on)}\): 0.19Ω(在 25°C,\(V{GS} = 10V\) 条件下)
    - 最大门极电荷 \(Qg\): 106nC
    - 最大门极-源极电荷 \(Q{gs}\): 14nC
    - 最大门极-漏极电荷 \(Q{gd}\): 33nC
    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压 \(V{DS}\): 650V
    - 门极-源极电压 \(V{GS}\): ±30V
    - 连续漏电流 \(ID\): 25°C 时为 13A,100°C 时为 2A
    - 单脉冲雪崩能量 \(E{AS}\): 367mJ
    - 最大功耗 \(PD\): 208W
    - 工作结温范围: -55°C 至 +150°C
    - 其他关键特性
    - 输入电容 \(C{iss}\): 2322pF
    - 输出电容 \(C{oss}\): 105pF
    - 有效输出电容 \(Co(er)\): 84pF
    - 门极-漏极电荷 \(Q{gd}\): 33nC

    产品特点和优势


    1. 低反向恢复时间 (\(t{rr}\)) 和 低反向恢复电荷 (\(Q{rr}\)): 这些特性显著减少了功率损耗,提高了效率。
    2. 低门极电荷 (\(Qg\)): 这使得它在高频开关应用中表现出色,有助于降低损耗。
    3. 低漏源导通电阻 (\(R{DS(on)}\)): 在各种条件下提供高效的电流控制。
    4. 高温环境下表现优异: 具备较高的最大结温 (150°C),适用于恶劣的工作环境。
    5. 卓越的抗浪涌能力: 高雪崩能量 (\(E{AS}\)) 可以承受高压冲击。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 电信设备: JCS15N60CH-O-C-N-B-VB 常用于服务器和通信电源模块,提供高效稳定的电力传输。
    - 照明系统: 在高亮度放电灯(HID)和荧光灯驱动系统中表现出色。
    - 消费电子及计算设备: 如 ATX 电源,适合需要高效能和高可靠性的应用。
    - 工业设备: 包括焊接设备和电池充电器,适应各种恶劣环境。
    使用建议
    - 散热管理: 鉴于其高功耗和工作温度要求,建议在设计电路板时添加有效的散热措施,例如散热片或散热器。
    - 驱动电路设计: 在高频率切换场合下,确保门极驱动电路设计良好,避免门极噪声干扰。
    - 布局考虑: 注意减小寄生电感和电容的影响,特别是在高速开关条件下。

    兼容性和支持


    JCS15N60CH-O-C-N-B-VB 具有标准 TO-220AB 封装,方便安装和集成到现有电路中。台湾 VBsemi 公司提供详尽的技术支持和售后服务,确保用户能够快速解决问题并优化系统性能。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 开关损耗过高。
    - 解决方法: 检查驱动电路是否配置正确,考虑降低门极电荷或增加门极驱动强度。
    2. 问题: 散热不良导致温度过高。
    - 解决方法: 添加散热片或改进 PCB 设计以增强散热效果。
    3. 问题: 反向恢复时间长导致效率下降。
    - 解决方法: 确保电路布局尽可能减少寄生电感,或者选择门极电荷更低的产品型号。

    总结和推荐


    JCS15N60CH-O-C-N-B-VB 是一款性能卓越的 N-Channel 超级结 MOSFET,适用于广泛的工业和消费电子产品。它的低损耗特性、高可靠性和良好的热管理能力使其成为高要求应用的理想选择。我们强烈推荐这款产品用于任何需要高性能、高效能和稳定工作的场合。对于需要进一步技术支持的客户,建议直接联系台湾 VBsemi 的客户服务热线(400-655-8788)或访问官网(www.VBsemi.com)获取更多帮助。

JCS15N60CH-O-C-N-B-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 30V
Rds(On)-漏源导通电阻 190mΩ@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 650V
Id-连续漏极电流 20A
配置 -
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

JCS15N60CH-O-C-N-B-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

JCS15N60CH-O-C-N-B-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 JCS15N60CH-O-C-N-B-VB JCS15N60CH-O-C-N-B-VB数据手册

JCS15N60CH-O-C-N-B-VB封装设计

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100+ ¥ 10.7972
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