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2SJ636-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-100V,-10A,RDS(ON),188mΩ@10V,195mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.77Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: 2SJ636-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 2SJ636-VB

2SJ636-VB概述

    P-Channel 100V (D-S) MOSFET 技术手册

    产品简介


    P-Channel 100V (D-S) MOSFET 是一款由台湾VBsemi公司生产的高效能电子元件,广泛应用于各种电源管理和转换系统中。作为一款沟槽场效应晶体管(TrenchFET®),它具有低导通电阻和高可靠性等特点,适用于功率开关和DC/DC转换器等应用场合。

    技术参数


    - 基本参数
    - 最大漏源电压(VDS):100V
    - 漏极连续电流(TC=25℃):-8.8A
    - 极限脉冲漏极电流(IDM):-25A
    - 额定单脉冲雪崩能量(EAS):16.2mJ
    - 最大功耗(TC=25℃):32.1W
    - 热阻(Junction-to-Ambient):50℃/W
    - 静态参数
    - 漏源击穿电压(VDS):≥100V
    - 栅阈值电压(VGS(th)):1V至-2.5V
    - 源漏间零栅压漏电流(IDSS):≤-1μA
    - 动态参数
    - 输入电容(Ciss):1055pF
    - 输出电容(Coss):65pF
    - 反向转移电容(Crss):41pF
    - 总栅电荷(Qg):11.7nC至34.8nC
    - 热参数
    - 工作结温范围:-55℃至150℃
    - 存储温度范围:-55℃至150℃

    产品特点和优势


    P-Channel 100V (D-S) MOSFET 的关键优势在于其卓越的热性能和低导通电阻(RDS(on))。其导通电阻仅为0.250Ω(VGS=-10V)和0.280Ω(VGS=-4.5V),这使其在高效率转换和低功耗应用中表现出色。此外,该器件采用沟槽场效应结构(TrenchFET®),确保了出色的可靠性和稳定的性能。根据IEC 61249-2-21标准,其完全符合无卤素要求,同时符合RoHS指令。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例
    - 在一个典型的电源开关应用中,该MOSFET可以在高达100V的电压下稳定工作,并且能够在高电流条件下保持稳定运行。例如,在DC/DC转换器中,它可以有效降低功耗并提高转换效率。
    - 使用建议
    - 当用于高电流应用时,应确保电路板的设计能够有效地散热,以避免因过热导致的性能下降。
    - 对于大负载条件下的使用,可以考虑添加适当的散热片或冷却风扇来帮助散热。

    兼容性和支持


    该器件的封装形式为TO-252,尺寸符合行业标准,因此与市场上大多数电源管理模块和电路板设计是兼容的。VBsemi公司为其产品提供了良好的技术支持和售后服务,包括详细的文档和在线技术支持,确保用户能够顺利使用并维护这些组件。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:如何正确安装MOSFET?
    - 解决方案:按照产品手册中的指导进行安装,确保正确的电路板布局和连接方式,特别是要保证栅极和源极之间的适当隔离,以防止损坏。

    - 问题2:在高温环境下如何延长使用寿命?
    - 解决方案:在高温环境中使用时,可以通过外部散热装置如散热片和风扇来帮助散热。另外,选择合适的电路板材料和设计,也可以有效提高其耐高温性能。

    总结和推荐


    总体而言,P-Channel 100V (D-S) MOSFET 是一款高性能、高可靠性的MOSFET,非常适合于高功率转换应用中。其出色的热性能和低导通电阻使其在众多同类产品中脱颖而出。对于需要高效率和高可靠性的应用,我们强烈推荐使用此款MOSFET。

2SJ636-VB参数

参数
FET类型 1个P沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.77V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 10A
Rds(On)-漏源导通电阻 188mΩ@10V,195mΩ@4.5V
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
最大功率耗散 -
通道数量 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

2SJ636-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

2SJ636-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 2SJ636-VB 2SJ636-VB数据手册

2SJ636-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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