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IRL520NSTRL-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,100V,20A,RDS(ON),100mΩ@10V,106mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V) 封装:TO263
供应商型号: IRL520NSTRL-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRL520NSTRL-VB

IRL520NSTRL-VB概述


    产品简介


    N-Channel 100-V (D-S) MOSFET
    N-Channel 100-V (D-S) MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种高效能的电子开关元件,主要应用于隔离式DC/DC转换器等领域。其采用先进的TrenchFET®技术,具有高可靠性、低导通电阻及耐高温等特性,非常适合在苛刻的工作环境中稳定运行。

    技术参数


    - 基本参数
    - 最大栅源电压 (VGS): ±20V
    - 最大漏源电压 (VDS): 100V
    - 最大连续漏电流 (ID): 20A(TJ=175°C时)
    - 最大单脉冲雪崩能量 (EAS): 200mJ
    - 最高工作温度 (TJ, Tstg): -55°C 至 175°C
    - 热阻 (Junction-to-Ambient PCB Mount): 40°C/W
    - 性能参数
    - 静态参数
    - 漏源击穿电压 (V(BR)DSS): 100V
    - 门阈值电压 (VGS(th)): 1V 至 3V
    - 零门电压漏极电流 (IDSS): 1μA
    - 漏极电流 (ID): 120A(VGS = 10V时)
    - 导通电阻 (rDS(on)): 0.100Ω(VGS = 10V时)
    - 动态参数
    - 输入电容 (Ciss): 950pF
    - 输出电容 (Coss): 280pF
    - 反向转移电容 (Crss): 110pF
    - 总栅极电荷 (Qg): 28nC

    产品特点和优势


    1. 先进的TrenchFET®技术:该技术使得MOSFET具有更低的导通电阻和更高的电流承载能力。
    2. 高耐温性能:可承受高达175°C的结温,适用于恶劣环境。
    3. 低热阻设计:热阻较低,有助于提高散热效率,减少发热问题。
    4. 100% Rg测试:所有产品都经过100% Rg测试,确保产品的质量和一致性。

    应用案例和使用建议


    - 隔离式DC/DC转换器:常用于通信、电源管理系统等,可以有效提高系统的稳定性和可靠性。
    - 工业控制设备:广泛应用于各种工业控制设备中,如电机驱动器、电源供应器等。

    使用建议:
    - 在使用过程中,注意不要超过规定的最大电压和电流限制。
    - 确保良好的散热措施,特别是在高温环境下长时间运行。
    - 对于瞬态过压,使用瞬态电压抑制器或电容器以保护MOSFET。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该产品与大多数标准电路板设计兼容,适合多种应用。
    - 技术支持:厂商提供详尽的技术文档和在线支持,包括详细的安装指南和技术咨询。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:工作时温度过高。
    - 解决方案:增加散热片或采用更高效的散热方法,如强制风冷或水冷。
    2. 问题:导通电阻偏大。
    - 解决方案:检查工作条件,确保符合要求的VGS和ID范围。
    3. 问题:在大电流下工作不稳定。
    - 解决方案:考虑使用更大尺寸的MOSFET,或者改进电路设计以减小电流峰值。

    总结和推荐


    N-Channel 100-V (D-S) MOSFET是一款高性能、高可靠性的电子元器件,特别适合在严苛的工作环境下使用。其独特的技术特性和卓越的性能使其在隔离式DC/DC转换器、工业控制系统等领域的应用中表现优异。结合其广泛的兼容性和厂商的全面技术支持,我们强烈推荐使用该产品。

IRL520NSTRL-VB参数

参数
通道数量 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 100mΩ@10V,106mΩ@4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.7V
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 20A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRL520NSTRL-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRL520NSTRL-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRL520NSTRL-VB IRL520NSTRL-VB数据手册

IRL520NSTRL-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 2.1597
500+ ¥ 2.0733
800+ ¥ 1.987
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型号 价格(含增值税)
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