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K4A55DA-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 650V,4A,RDS(ON),2560mΩ@10V,20Vgs(±V);3.8Vth(V) 一款单通道 N 型 MOSFET,采用 Plannar 技术制造,具有高性能和可靠性。其封装为 TO220F,适用于各种电源和功率控制应用。
供应商型号: K4A55DA-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K4A55DA-VB

K4A55DA-VB概述

    K4A55DA-VB N-Channel 650V Power MOSFET 技术手册概述

    产品简介


    K4A55DA-VB 是一款 N 沟道 650V 功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于高压应用。它具有低门极电荷(Qg)和增强的门极、雪崩和动态 dV/dt 耐久性。该器件完全标定了电容和雪崩电压及电流,并且符合 RoHS 指令 2002/95/EC。这款 MOSFET 可用于各种电源转换应用,如开关电源、马达控制和逆变器系统等。

    技术参数


    - 额定参数
    - 额定漏源电压 (VDS): 650V
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)): 2.5Ω (VGS = 10V)
    - 总门极电荷 (Qg): 48nC
    - 门极-源极电荷 (Qgs): 12nC
    - 门极-漏极电荷 (Qgd): 19nC
    - 绝对最大额定值
    - 最大漏源电压 (VDS): 650V
    - 最大门极-源极电压 (VGS): ±30V
    - 连续漏极电流 (ID): 3.8A (TC = 100°C)
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 325mJ
    - 最大功率耗散 (PD): 30W (TC = 25°C)
    - 工作温度范围
    - 操作结温范围 (TJ, Tstg): -55°C 至 +150°C

    产品特点和优势


    1. 低门极电荷:这使得驱动需求简单化,减少了外部驱动电路的需求。
    2. 增强的耐受性:改善了门极、雪崩和动态 dV/dt 的耐久性,提高了可靠性。
    3. 全面标定:完全标定了电容和雪崩电压及电流,提供了可靠的操作保证。
    4. 环保材料:符合 RoHS 指令 2002/95/EC,适合环保要求严格的应用场合。

    应用案例和使用建议


    K4A55DA-VB 主要应用于高压电源转换领域,如开关电源、电机控制、逆变器系统等。使用时应注意以下几点:
    - 工作环境:确保器件的工作温度不超过 150°C,以避免热击穿。
    - 驱动电路设计:由于其低门极电荷特性,可以简化驱动电路的设计,减少外部元件数量。
    - 散热管理:合理设计散热路径,避免高温导致的器件失效。

    兼容性和支持


    - 兼容性:K4A55DA-VB 与标准 TO-220 全封装兼容,易于安装和替换。
    - 支持:制造商提供详尽的技术支持和售后服务,包括安装指导、应用咨询和故障排查。

    常见问题与解决方案


    - 问题:门极电荷过高导致驱动困难。
    - 解决方案:优化驱动电路设计,选择合适的驱动电阻以降低门极电荷。

    - 问题:器件过热。
    - 解决方案:增加散热措施,例如添加散热片或风扇,确保良好的空气流通。

    总结和推荐


    K4A55DA-VB 在高压电源转换应用中表现出色,其低门极电荷、高可靠性及符合环保标准等特点使其成为市场上极具竞争力的产品。我们强烈推荐使用 K4A55DA-VB,尤其适用于需要高压、高可靠性及环保的电力转换系统。
    联系服务热线:400-655-8788 或访问官网 www.VBsemi.com 获取更多技术支持和详细信息。

K4A55DA-VB参数

参数
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 2.56Ω@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
Id-连续漏极电流 4A
Vds-漏源极击穿电压 650V
FET类型 1个N沟道
配置 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K4A55DA-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K4A55DA-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K4A55DA-VB K4A55DA-VB数据手册

K4A55DA-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.9004
1000+ ¥ 1.8212
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型号 价格(含增值税)
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