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IRFS720B-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 650V,4A,RDS(ON),2560mΩ@10V,20Vgs(±V);3.8Vth(V) 一款单通道 N 型 MOSFET,采用 Plannar 技术制造,具有高性能和可靠性。其封装为 TO220F,适用于各种电源和功率控制应用。
供应商型号: IRFS720B-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRFS720B-VB

IRFS720B-VB概述

    IRFS720B-VB N-Channel 650V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    IRFS720B-VB 是一款高性能的N沟道功率MOSFET,专为高电压应用设计。其主要功能包括低门极电荷(Qg),增强的栅极、雪崩及动态dv/dt鲁棒性,以及全面表征的电容特性和雪崩电压和电流。此外,它符合RoHS指令2002/95/EC,适用于多种高电压应用领域。

    2. 技术参数


    - 额定参数
    - 栅极-源极电压 (VGS): ±30 V
    - 漏极-源极电压 (VDS): 650 V
    - 连续漏极电流 (TC = 100 °C): 3.8 A
    - 脉冲漏极电流 (TC = 25 °C): 18 A
    - 最大耗散功率 (TC = 25 °C): 30 W
    - 最大单脉冲雪崩能量 (EAS): 325 mJ
    - 重复雪崩电流 (IAR): 4 A
    - 重复雪崩能量 (EAR): 6 mJ
    - 峰值二极管恢复 dv/dt: 2.8 V/ns
    - 工作结温和存储温度范围: -55 °C 至 +150 °C
    - 静态特性
    - 漏极-源极击穿电压 (VDS): 650 V
    - 门极-源极阈值电压 (VGS(th)): 2.0 - 4.0 V
    - 零门极电压漏极电流 (IDSS): 25 μA @ VDS = 650 V, VGS = 0 V
    - 动态特性
    - 输入电容 (Ciss): 080 pF
    - 输出电容 (Coss): 177 pF
    - 反向转移电容 (Crss): 7.0 pF
    - 总栅极电荷 (Qg): 48 nC
    - 门极-源极电荷 (Qgs): 12 nC
    - 门极-漏极电荷 (Qgd): 19 nC
    - 开启延时时间 (td(on)): 1 ns
    - 关断延时时间 (td(off)): 34 ns
    - 热阻特性
    - 最大结点到环境热阻 (RthJA): 65 °C/W
    - 最大结点到外壳(漏极)热阻 (RthJC): 2.1 °C/W

    3. 产品特点和优势


    - 低门极电荷: 低门极电荷 (Qg) 使得驱动要求简单,易于集成。
    - 增强的鲁棒性: 改进了栅极、雪崩和动态dv/dt鲁棒性,适合于严苛的工作环境。
    - 全面表征的电容特性: 全面表征的电容特性,提供了可靠的操作性能。
    - 符合RoHS标准: 符合RoHS标准,确保环保安全。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 电源转换器: 在高电压开关模式电源转换器中作为主开关器件。
    - 电机驱动: 在电机驱动系统中用于控制电机的启动和停止。
    - 使用建议:
    - 确保工作温度在规定的范围内 (-55 °C 至 +150 °C),以防止因过热而损坏。
    - 选择合适的驱动电路,确保门极电荷的合适充电时间,以实现最佳的开关性能。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: 本产品与其他标准N沟道MOSFET引脚兼容,可以方便地替换旧型号的MOSFET。
    - 支持: 制造商提供详尽的技术文档和支持,包括设计指南、典型应用电路和故障排除指南。如需更多帮助,请联系服务热线:400-655-8788。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 漏极电流超过最大值导致过热。
    - 解决方案: 通过降低工作频率或增加散热片来减少功率损耗。

    - 问题: 开关过程中出现不稳定的dv/dt。
    - 解决方案: 使用外部RC网络来调节dv/dt,以确保稳定的开关性能。

    7. 总结和推荐


    IRFS720B-VB MOSFET是一款具有高性能和高可靠性的器件,非常适合用于高电压开关电源和其他需要高性能MOSFET的应用场合。它的低门极电荷、增强的鲁棒性和全面的表征使其在市场上具有较强的竞争力。我们强烈推荐在各种高电压应用中使用这款MOSFET。

IRFS720B-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 4A
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 2.56Ω@ 10V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IRFS720B-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRFS720B-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRFS720B-VB IRFS720B-VB数据手册

IRFS720B-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.9004
1000+ ¥ 1.8212
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