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J601-Z-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-60V,-50A,RDS(ON),20mΩ@10V,25mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.76Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: J601-Z-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) J601-Z-VB

J601-Z-VB概述

    # P-Channel 60V (D-S) MOSFET 技术手册

    产品简介


    基本信息
    P-Channel 60V (D-S) MOSFET 是一款高性能的场效应晶体管(FET),专为高效率和可靠性设计。这款MOSFET采用了先进的沟槽式TrenchFET技术,主要用于负载开关应用。
    主要功能
    - 高耐压能力:额定电压高达60V,适用于高压环境。
    - 低导通电阻:导通电阻低至0.02Ω(在VGS = -10V条件下),有效减少功率损耗。
    - 大电流承载能力:连续工作电流可达50A,脉冲电流高达160A。
    应用领域
    - 负载开关:常用于电源管理电路,特别是在需要高可靠性的工业和汽车环境中。

    技术参数


    | 参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VGS = 0 V, ID = -250 µA | -60 | - | - | V |
    | 栅极阈值电压 | VDS = VGS, ID = -250 µA | -1.5 | -3 | - | V |
    | 零栅极电压漏电流 | VDS = -60 V, VGS = 0 V | -1 | -50 µA | -100 µA | V |
    | 导通状态电阻 | VGS = -10 V, ID = -17 A | 0.020 | 0.035 | - | Ω |
    | 动态特性总栅极电荷 | VDS = -30 V, VGS = -10 V, ID = -40 A | 110 | 165 | nC |
    | 栅极-源极电荷 | - | 19 | - | - | nC |
    | 栅极-漏极电荷 | - | 28 | - | - | nC |

    产品特点和优势


    独特功能
    - 高可靠性:采用TrenchFET技术,提升耐压能力和抗干扰能力。
    - 低功耗:导通电阻低,可显著降低功耗。
    - 快速开关:动态特性良好,适合高频应用。
    市场竞争力
    - 在高压负载开关应用中表现出色,能够满足多种高要求的应用需求,如工业控制和汽车电子领域。

    应用案例和使用建议


    实际应用案例
    P-Channel 60V MOSFET 广泛应用于负载开关领域,例如电源管理系统、逆变器和马达驱动系统等。它能够在高电压环境下稳定工作,并且具有较高的电流承载能力。
    使用建议
    - 优化布局:为了最大限度减少寄生电感,建议将栅极和源极之间的走线尽量短而宽。
    - 散热考虑:由于导通电阻较低,建议在高温环境下使用时注意散热措施,以保证器件正常工作。

    兼容性和支持


    兼容性
    - 与标准TO-252封装的电路板设计兼容,易于集成到现有系统中。
    厂商支持
    - 客户可以联系台湾VBsemi公司获取更多技术支持和售后服务,服务热线:400-655-8788。

    常见问题与解决方案


    问题1:如何判断器件是否过热?
    - 解决方案:测量器件外壳温度,若超过规定的最大工作温度范围,则需要采取散热措施。
    问题2:MOSFET为何会出现导通电阻异常增大的现象?
    - 解决方案:检查栅极-源极电压(VGS)是否正确设置,确保VGS在额定范围内。

    总结和推荐


    综合评估
    P-Channel 60V MOSFET凭借其出色的耐压能力、低导通电阻和快速动态特性,在高压负载开关领域表现出色。它适用于多种高要求的应用场景,特别适合工业和汽车电子领域的电源管理需求。
    推荐使用
    强烈推荐使用此款MOSFET,尤其对于需要高压和大电流工作的场合。此外,其优异的性能和可靠性使其成为一种理想的选择。

J601-Z-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 50A
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
FET类型 1个P沟道
通道数量 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 20mΩ@10V,25mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 60V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.76V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

J601-Z-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

J601-Z-VB数据手册

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J601-Z-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.1091
100+ ¥ 2.8788
500+ ¥ 2.6485
2500+ ¥ 2.5333
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