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KF12N60F-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N沟道MOSFET,具有650V的漏极-源极电压(VDS),30V的门-源电压(VGS),以及3.5V的阈值电压(Vth)。采用平面工艺制造,具有TO220F封装,适用于各种应用场景
供应商型号: KF12N60F-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) KF12N60F-VB

KF12N60F-VB概述


    产品简介


    N-Channel 650V Power MOSFET(D-S)是一款高性能的场效应晶体管,适用于多种高压应用。它具有极低的导通电阻(Ron)和栅极电荷(Qg),使其在转换效率和节能方面表现优异。该产品广泛应用于服务器和电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电源和照明系统(如高强度放电灯和荧光灯)等领域。

    技术参数


    | 参数 | 规格 |

    | 漏源电压(VDS) | 最大值650V |
    | 漏源击穿电压(VDS) | 最小值650V |
    | 栅源阈值电压(VGS(th)) | 3~5V |
    | 零栅压漏电流(IDSS) | 最大值10μA |
    | 漏源导通电阻(RDS(on)) | 最大值0.Ω @ VGS=10V, ID=8A |
    | 输入电容(Ciss) | 最大值00 pF |
    | 输出电容(Coss) | 最大值- pF |
    | 有效输出电容,能量相关(Co(er)) | 最大值63 pF |
    | 有效输出电容,时间相关(Co(tr)) | 最大值213 pF |
    | 总栅极电荷(Qg) | 最大值43 nC |
    | 栅源电荷(Qgs) | 最大值5 nC |
    | 栅漏电荷(Qgd) | 最大值22 nC |

    产品特点和优势


    - 低功耗设计:通过优化的漏源导通电阻(RDS(on))和总栅极电荷(Qg),减少了传导损耗和开关损耗。
    - 高可靠性:超低的输入电容(Ciss)和反向传输电容(Crss),提升了系统的稳定性和可靠性。
    - 快速开关:栅源电荷(Qgs)和栅漏电荷(Qgd)较低,确保了更快的开关速度,减少热损失。
    - 宽工作温度范围:能够在-55°C到+150°C的温度范围内稳定工作,适应恶劣的工作环境。

    应用案例和使用建议


    该MOSFET常用于服务器和电信电源、开关模式电源、PFC电源及照明系统。在这些应用中,其优异的开关特性和低损耗能够显著提升系统的整体效率和稳定性。
    使用建议:
    1. 散热管理:由于其高功率密度,合理布置散热器以确保良好的热分布,避免过热。
    2. 电路布局:尽量减小引线电感,使用接地平面来降低杂散电感的影响。
    3. 测试验证:在实际应用前进行充分的测试验证,确保各项指标符合预期要求。

    兼容性和支持


    该产品与大多数通用电源电路兼容,可直接替换传统的MOSFET。制造商提供了详尽的技术文档和应用指南,确保用户能够充分利用该产品的性能。此外,VBsemi公司还提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决在应用过程中遇到的各种问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:高频率应用下出现振荡现象
    - 解决方案:在栅极回路中加入适当的阻尼电阻或电容,减缓振荡现象。
    2. 问题:温度过高导致性能下降
    - 解决方案:增加散热片面积,使用更高效的散热材料,确保良好的空气流通。
    3. 问题:高频开关时噪音增大
    - 解决方案:适当调整栅极驱动电阻,控制开关速度,降低高频噪声。

    总结和推荐


    N-Channel 650V Power MOSFET凭借其卓越的性能和可靠性,在高压开关应用中表现出色。它的高效能、低损耗和广泛的适用范围使其成为众多高压应用的理想选择。推荐用户在选择高压电力转换方案时优先考虑此产品,并根据具体应用场景进行详细测试和验证。

KF12N60F-VB参数

参数
配置 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 12A
Rds(On)-漏源导通电阻 680mΩ@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 650V
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

KF12N60F-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

KF12N60F-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 KF12N60F-VB KF12N60F-VB数据手册

KF12N60F-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 4.2759
100+ ¥ 3.9592
500+ ¥ 3.8008
1000+ ¥ 3.6425
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型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
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