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K4146-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,80V,100A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.7Vth(V) 封装:TO220\n适用于需要高电压耐受能力、大电流特性和稳定性的领域和模块,如电源模块、电机驱动、光伏逆变器和电动汽车充电桩等。
供应商型号: K4146-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K4146-VB

K4146-VB概述

    K4146-VB N-Channel 80V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    K4146-VB 是一款由VBsemi公司生产的N沟道80V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它主要用于电源管理和开关控制应用,如初级侧开关、同步整流、DC/AC逆变器及LED背光。K4146-VB采用了TrenchFET®技术,具有出色的性能和可靠性,适用于广泛的工业和消费电子产品。

    2. 技术参数


    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压 \(V{DS}\): 80 V
    - 栅源电压 \(V{GS}\): ±20 V
    - 持续漏极电流 \(ID\): 28.6 A (当 \(TA = 25^\circ \text{C}\) 时)
    - 脉冲漏极电流 \(I{DM}\): 350 A (持续时间为 100 μs)
    - 最大功率耗散 \(PD\): 180 W (当 \(TA = 25^\circ \text{C}\) 时)
    - 静态参数
    - 击穿电压 \(V{DS}\): 80 V (当 \(V{GS} = 0 \text{V}, ID = 250 \mu \text{A}\))
    - 门限电压 \(V{GS(th)}\): 2.0 - 3.5 V (当 \(ID = 250 \mu \text{A}\))
    - 导通电阻 \(R{DS(on)}\):
    - \(V{GS} = 10 \text{V}, ID = 20 \text{A}\) 时: 7 mΩ
    - \(V{GS} = 6 \text{V}, ID = 15 \text{A}\) 时: 7.5 mΩ
    - \(V{GS} = 4.5 \text{V}, ID = 10 \text{A}\) 时: 9 mΩ
    - 动态参数
    - 输入电容 \(C{iss}\): 3855 pF (当 \(V{DS} = 40 \text{V}, V{GS} = 0 \text{V}, f = 1 \text{MHz}\))
    - 输出电容 \(C{oss}\): 1120 pF
    - 反向传输电容 \(C{rss}\): 376 pF
    - 总栅极电荷 \(Qg\): 35.5 nC (当 \(V{DS} = 40 \text{V}, V{GS} = 10 \text{V}, ID = 10 \text{A}\))

    3. 产品特点和优势


    - TrenchFET® 技术: 采用先进的TrenchFET技术,提供低导通电阻和高耐压。
    - 100% Rg 和 UIS 测试: 确保产品的质量和可靠性。
    - 宽工作温度范围: 支持从 -55°C 到 150°C 的温度范围,适应不同的环境条件。
    - 高电流处理能力: 最大脉冲漏极电流高达350 A,适合高功率应用。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - LED背光: 由于其高效率和快速开关性能,K4146-VB特别适用于LED背光应用。
    - DC/AC逆变器: 在高频开关应用中,MOSFET的低导通电阻可以显著减少损耗,提高整体效率。

    - 使用建议:
    - 在设计电路时,确保电路板的热管理符合要求,避免过热。
    - 在选择栅极驱动电阻时,应考虑 \(Rg\) 参数以优化开关性能。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: K4146-VB采用标准TO-220AB封装,可直接替换同封装的其他品牌产品。
    - 技术支持: VBsemi公司提供详尽的技术文档和支持服务,可通过服务热线400-655-8788获取更多帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q: 漏源电压(VDS)超过最大额定值会怎么样?
    - A: 这可能导致永久性损坏,确保应用环境中的电压不超过最大额定值。

    - Q: 如何正确测量导通电阻(RDS(on))?
    - A: 应在规定的栅极电压和电流条件下进行测量,参考数据表中的典型值。

    7. 总结和推荐


    K4146-VB MOSFET凭借其出色的性能参数和广泛的应用范围,成为许多电力转换和管理应用的理想选择。其高效的TrenchFET技术、低导通电阻和高可靠性使其在市场上具有很强的竞争力。强烈推荐给需要高效、可靠开关解决方案的设计工程师。

K4146-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.7V
Rds(On)-漏源导通电阻 7mΩ@10V,9mΩ@4.5V
Id-连续漏极电流 100A
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 80V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K4146-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K4146-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K4146-VB K4146-VB数据手册

K4146-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 4.2759
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500+ ¥ 3.8008
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