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NDF08N50ZH-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 单N沟道MOSFET,采用Plannar技术,具有高性能和可靠性。该产品具有650V的漏极-源极电压(VDS)、30V的栅极-源极电压(VGS)、以及3.5V的阈值电压(Vth)。其封装为TO220F,适用于各种应用场景。
供应商型号: NDF08N50ZH-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NDF08N50ZH-VB

NDF08N50ZH-VB概述

    NDF08N50ZH Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    NDF08N50ZH 是一款高电压N沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(Power MOSFET),具有极低的导通电阻(RDS(on))和高效的开关性能。这款MOSFET广泛应用于服务器和电信电源供应、开关模式电源供应(SMPS)、功率因数校正电源供应(PFC)、照明系统(包括高强度放电灯和荧光灯镇流器)以及工业应用。

    技术参数


    以下是NDF08N50ZH的技术规格和性能参数:
    - 最大耐压 (VDS):650 V
    - 最大栅源电压 (VGS):±30 V
    - 连续漏极电流 (ID):高达150 °C时可达57 A
    - 脉冲漏极电流 (IDM):受限于最大结温
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):85 mJ
    - 最大耗散功率 (PD):受限于热阻
    - 最大结温和存储温度范围 (TJ, Tstg):-55 °C 至 +150 °C
    - 漏极-源极体二极管:
    - 最大反向恢复时间 (trr):190 ns
    - 最大反向恢复电荷 (Qrr):2.3 μC
    - 最大反向恢复电流 (IRRM):未指定

    产品特点和优势


    NDF08N50ZH 具备多项显著的优势:
    - 低导通损耗:由于极低的RDS(on),减少了在导通状态下的能量损失。
    - 高效开关:超低的栅极电荷(Qg),降低了开关过程中的能量损失。
    - 可靠性高:经过优化的设计确保了长时间稳定运行。
    - 适用广泛:适用于多种高压应用场景,包括服务器、电信电源、工业设备等。

    应用案例和使用建议


    NDF08N50ZH 在多个领域得到了广泛应用:
    - 服务器和电信电源供应:用于电源管理和转换,提高能源效率。
    - 开关模式电源供应(SMPS):适合高频应用,如笔记本电脑充电器等。
    - 工业应用:可应用于电机驱动和工业控制装置中。
    使用建议:
    - 确保安装环境温度不超出规定范围,避免因过热而影响性能。
    - 使用低杂散电感和接地平面的布局设计,以减少信号干扰。

    兼容性和支持


    NDF08N50ZH 与其他标准电路板设计兼容。制造商提供详细的文档和技术支持,包括安装指南、用户手册和常见问题解答。如有疑问,客户可以联系400-655-8788进行咨询。

    常见问题与解决方案


    以下是一些用户可能遇到的问题及其解决方案:
    - 问题:设备过热。解决方案:检查散热片是否安装正确,确保良好的空气流通。
    - 问题:输出电流不稳定。解决方案:检查电路连接是否牢固,确认输入电压在允许范围内。

    总结和推荐


    综上所述,NDF08N50ZH 是一款高性能的功率MOSFET,具有出色的性能和可靠性。特别适用于需要高效能转换的应用场合。强烈推荐给那些追求高效和稳定电源管理系统的用户。对于任何对电源管理感兴趣的工程师来说,NDF08N50ZH 都是一个理想的选择。

NDF08N50ZH-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
Rds(On)-漏源导通电阻 830mΩ@ 10V
Id-连续漏极电流 10A
通道数量 -
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.36V
配置 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

NDF08N50ZH-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NDF08N50ZH-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NDF08N50ZH-VB NDF08N50ZH-VB数据手册

NDF08N50ZH-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 4.2759
100+ ¥ 3.9592
500+ ¥ 3.8008
1000+ ¥ 3.6425
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型号 价格(含增值税)
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15N10 ¥ 0.396
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