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9974GS-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,75A,RDS(ON),11mΩ@10V,12mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.9Vth(V) 封装:TO263 由于其较高的漏极电流和较低的导通电阻,适合用于开关电源、逆变器和电源管理模块,以提供稳定可靠的电力输出。
供应商型号: 9974GS-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 9974GS-VB

9974GS-VB概述


    产品简介


    N-Channel 60-V (D-S) MOSFET是一款适用于多种电子应用的高性能场效应晶体管(MOSFET)。这款电子元器件采用D2PAK封装(TO-263封装),具备175°C的结温能力,使其在极端温度环境下依然能够稳定工作。TrenchFET®技术使得其在电流处理能力和开关速度方面具有显著优势。

    技术参数


    - 绝对最大额定值:
    - 结温 (TJ): -55°C 到 175°C
    - 栅极-源极电压 (VGS): ± 20 V
    - 持续漏极电流 (ID): 75 A (TJ = 175°C)
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 200 A
    - 最大功率耗散 (PD): 136 W (TA = 25°C)
    - 热阻率:
    - 最大结到环境电阻 (RthJA): 15°C/W (t ≤ 10 s), 18°C/W
    - 最大结到外壳电阻 (RthJC): 0.85°C/W
    - 静态特性:
    - 漏源击穿电压 (VDS): 60 V
    - 栅极阈值电压 (VGS(th)): 1 - 3 V
    - 栅体泄漏 (IGSS): ± 100 nA
    - 动态特性:
    - 输入电容 (Ciss): 4300 pF
    - 输出电容 (Coss): 470 pF
    - 反向转移电容 (Crss): 225 pF
    - 总栅极电荷 (Qg): 47 nC
    - 驱动特性:
    - 开通延时时间 (td(on)): 10 - 20 ns
    - 上升时间 (tr): 15 - 25 ns
    - 关断延时时间 (td(off)): 35 - 50 ns
    - 下降时间 (tf): 20 - 30 ns

    产品特点和优势


    1. 高耐温性能: 能够承受高达175°C的结温,适合于高温环境下的应用。
    2. 高效能TrenchFET®技术: 提供低导通电阻(RDS(on)),实现高效的电力传输。
    3. 高速开关特性: 快速的开通和关断能力,减少能量损失。
    4. 优秀的热管理: 通过合理的热阻设计,确保器件在高功率操作下仍保持稳定。
    5. 可靠的可靠性: 在极端条件下经过严格测试,确保长时间稳定运行。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 工业控制: 用于电机驱动电路中,可以提高系统的效率和稳定性。
    - 电源转换: 作为开关电源中的关键组件,提供高效率的能量转换。
    - 汽车电子: 用于电动汽车中的逆变器系统,提高能量利用率。
    使用建议
    - 热设计: 由于其较高的功率耗散,需要良好的散热设计以避免过热。
    - 驱动电路: 使用合适的驱动电路,以确保快速且准确的开关动作。
    - PCB布局: 合理规划PCB布线,减小杂散电感的影响,提升整体性能。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 此款MOSFET可广泛应用于各种电力电子设备中,支持表面安装在FR4板材上。
    - 支持和维护: 厂商提供详尽的技术文档和在线支持,帮助用户更好地理解和应用该产品。

    常见问题与解决方案


    1. Q: 高温环境下能否稳定工作?
    - A: 是的,该MOSFET可以在高达175°C的结温下稳定工作,适用于高温环境。
    2. Q: 如何有效降低功耗?
    - A: 选择合适的驱动电路,合理设计PCB布局,以减少能量损耗。
    3. Q: 何时需要外部散热器?
    - A: 当系统功率较高时,可能需要额外的散热措施以保持MOSFET的正常工作温度。

    总结和推荐


    总体而言,这款N-Channel 60-V (D-S) MOSFET凭借其出色的耐温性能、高效的TrenchFET®技术和高速开关特性,在多种电力电子应用中表现出色。其卓越的应用灵活性和强大的技术支持使其成为高性能电力电子系统的理想选择。强烈推荐使用此产品,尤其在工业控制、电源转换和汽车电子等领域。
    如果您有任何疑问或需要进一步的技术支持,请联系我们的服务热线:400-655-8788。

9974GS-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 75A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.9V
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 11mΩ@10V,12mΩ@4.5V
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

9974GS-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

9974GS-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 9974GS-VB 9974GS-VB数据手册

9974GS-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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型号 价格(含增值税)
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