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K1006-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO220F,具有高性能和可靠性,适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。650V,7A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V)
供应商型号: K1006-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K1006-VB

K1006-VB概述


    产品简介


    Power MOSFET(功率金属氧化物半导体场效应晶体管)
    Power MOSFET是一种高性能的半导体开关器件,主要应用于高效率电源管理和能量转换系统。其基本构造为一个栅极、源极和漏极组成的三端器件。这种晶体管通过调节栅极电压来控制电流流经源极和漏极之间的通道。由于其具有低导通电阻和快速开关特性,Power MOSFET被广泛用于各种应用中,如服务器和电信电源供应、开关模式电源供应(SMPS)、功率因数校正电源供应(PFC)以及工业照明系统(如高强度放电灯和荧光灯)。

    技术参数


    - 漏极-源极电压 (VDS):最大值 650 V
    - 栅极-源极电压 (VGS):± 30 V
    - 连续漏极电流 (ID):在TJ = 150 °C时为2.7 A
    - 脉冲漏极电流 (IDM):受最大结温限制
    - 最大功耗 (PD):120 W
    - 绝对最高额定温度 (TJ, Tstg):-55 °C 至 +150 °C
    - 热阻 (RthJA):63 °C/W
    - 导通电阻 (RDS(on)):在25 °C时典型值为1 Ω
    - 总栅极电荷 (Qg):最大值为12 nC
    - 输入电容 (Ciss):典型值未给出
    - 输出电容 (Coss):典型值未给出
    - 反向转移电容 (Crss):典型值未给出
    - 栅极-源极电荷 (Qgs):典型值未给出
    - 栅极-漏极电荷 (Qgd):典型值未给出

    产品特点和优势


    - 低导通电阻 (RDS(on)):有助于减少导通损耗。
    - 低栅极电荷 (Qg):降低开关损耗。
    - 高雪崩耐量 (UIS):提供更高的可靠性。
    - 快速开关特性:降低动态损耗。
    - 低输入电容 (Ciss):减少驱动损耗。
    - 超低门极电荷 (Qg):增强效率。
    - 宽温度范围:适合各种严苛环境的应用。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 服务器和电信电源供应:确保高效稳定的电源管理。
    - 开关模式电源供应 (SMPS):提高整体系统的能效。
    - 照明应用:例如高强度放电灯和荧光灯,提供可靠的开关控制。
    使用建议
    - 在高压应用中,确保所有连接都牢固并遵循推荐的焊接温度规范。
    - 使用适当的散热设计以防止过热。

    兼容性和支持


    - 兼容性:本产品适用于广泛的电源管理和照明系统。
    - 支持:厂商提供详尽的技术文档和客户支持服务。

    常见问题与解决方案


    - 问题:产品过热?
    - 解决方法:增加散热片或改进散热设计。
    - 问题:驱动信号不稳定?
    - 解决方法:确保使用合适的驱动电路和正确的驱动电压。
    - 问题:漏电流过高?
    - 解决方法:检查安装和连接,确保无短路。

    总结和推荐


    总体来说,这款Power MOSFET凭借其高效的导通特性和快速的开关速度,成为电源管理和能量转换系统的理想选择。其出色的耐高温能力和广泛的温度适应范围,使其适用于各种工业和消费电子产品中。推荐在需要高效且稳定工作的电源系统中使用此产品。

K1006-VB参数

参数
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 7A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
通道数量 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 1.1Ω@ 10V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K1006-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K1006-VB数据手册

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K1006-VB封装设计

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