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J420-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-12V,-13A,RDS(ON),7mΩ@4.5V,8.4mΩ@2.5V,8Vgs(±V);-0.6~-2Vth(V) 封装:SOP8
供应商型号: J420-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) J420-VB

J420-VB概述


    产品简介


    本产品是一款P沟道12V(D-S)MOSFET,属于低压功率MOSFET系列。它主要应用于负载开关和电池切换场景,具有高可靠性及优异的电气性能。该产品采用无卤素材料设计,符合RoHS标准,旨在减少环境影响。

    技术参数


    - 额定电压(VDS):-12V
    - 连续漏极电流(ID):
    - TA = 25°C时为-16A
    - TA = 70°C时为-11.5A
    - 最大功率耗散(PD):
    - TA = 25°C时为3.0W
    - TA = 70°C时为1.9W
    - 绝对最大温度范围(TJ, Tstg):-55°C至150°C
    - 导通电阻(RDS(on)):
    - 在VGS = -4.5V时为0.0050Ω
    - 在VGS = -2.5V时为0.0065Ω
    - 在VGS = -1.8V时为0.0100Ω
    - 门限电压(VGS(th)):-0.5V至-1.0V
    - 零门限电压漏极电流(IDSS):在VGS = 0V时为-1µA
    - 门电荷(Qg):110nC至165nC
    - 栅源电荷(Qgs):15nC
    - 栅漏电荷(Qgd):27.5nC
    - 栅电阻(Rg):3.6Ω
    - 输出特性
    - ID - 漏极电流(A)
    - VDS - 源极到漏极电压(V)

    产品特点和优势


    该P沟道MOSFET具有多种独特优势:
    - 环保材料:采用无卤素材料设计,满足IEC 61249-2-21标准。
    - 低导通电阻:提供非常低的导通电阻,从而降低功耗和温升。
    - 高温耐受性:可在-55°C至150°C的温度范围内稳定工作,保证了广泛应用的可靠性。
    - 低功耗:低导通电阻使得在满载条件下仍能保持低功耗,提高效率。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    该产品广泛应用于负载开关和电池切换场景,特别适合需要高可靠性和高效转换的应用场合,如通信设备、电源管理系统等。
    使用建议
    - 散热设计:在高电流应用场景中,应考虑良好的散热设计,以确保器件正常工作。
    - 驱动电路设计:为了充分发挥其性能,建议使用适当的栅极驱动电路,确保快速开关,减少能耗。
    - 匹配电路参数:根据具体应用场景,合理选择合适的驱动电压和电阻,以达到最佳工作状态。

    兼容性和支持


    该MOSFET与各种主流SMD封装兼容,能够方便地集成到现有系统中。厂商提供了详细的技术支持文档和在线咨询服务,确保用户能够在使用过程中获得必要的技术支持。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何判断MOSFET是否过热?
    答:可以使用红外测温仪检测MOSFET的外壳温度。如果温度超过80°C,则可能需要改善散热措施。
    2. 问:为什么漏极电流出现异常?
    答:检查电路中是否存在短路或其他干扰,确保驱动信号正确且稳定。
    3. 问:怎样防止MOSFET损坏?
    答:遵循绝对最大额定值的要求,避免超出最大额定电压和电流。同时,使用适当的散热措施来避免过热。

    总结和推荐


    综上所述,这款P沟道12V MOSFET以其低导通电阻、高可靠性以及广泛的温度适应性,使其成为许多应用场景的理想选择。对于那些寻求高效能、高可靠性的设计者而言,它无疑是一个值得信赖的产品。强烈推荐在需要高可靠性和高效率的应用场景中使用。

J420-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 12V
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 7mΩ@4.5V,8.4mΩ@2.5V
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -600mV~-2V
Vgs-栅源极电压 8V
FET类型 1个P沟道
Id-连续漏极电流 13A
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

J420-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

J420-VB数据手册

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J420-VB封装设计

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