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BUK427-500A-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,650V,9A,RDS(ON),500mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220 SJ_Multi-EPI技术和500m?的导通电阻,使其适用于太阳能逆变器中的功率开关模块,以实现高效能的能量转换。
供应商型号: BUK427-500A-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) BUK427-500A-VB

BUK427-500A-VB概述

    BUK427-500A-VB N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    BUK427-500A-VB 是一款高性能的 N-通道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有低导通电阻(RDS(on))和超低门极电荷(Qg)。这些特性使其成为多种应用的理想选择,包括服务器和电信电源供应、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电源供应以及照明系统(如高强度放电灯(HID)和荧光灯镇流器)和工业设备。

    技术参数


    - 最大漏源电压 (VDS):650V
    - 最大栅源电压 (VGS):±30V
    - 连续漏极电流 (ID):21A @ TJ = 10V,TC = 25°C;186A @ TJ = 150°C
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)):0.50Ω @ VGS = 10V,ID = 4A
    - 总栅极电荷 (Qg):18nC
    - 输入电容 (Ciss):1300pF
    - 输出电容 (Coss):1200pF
    - 反向转移电容 (Crss):400pF
    - 绝对最大额定值(除非另有说明,否则 TC = 25°C):
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):186mJ
    - 最大功耗 (PD):2.7W
    - 工作结温和存储温度范围 (TJ, Tstg):-55°C 到 +150°C

    产品特点和优势


    - 低导通电阻 (RDS(on)):显著降低损耗,提高效率
    - 超低栅极电荷 (Qg):减少开关损耗,提高频率
    - 低输入电容 (Ciss):减少开关时间,提高工作效率
    - 高重复雪崩耐受能力:适用于高压和高能量需求的应用

    应用案例和使用建议


    - 服务器和电信电源供应:利用其高效能和可靠性,适合于高压、高频应用。
    - 开关模式电源 (SMPS):其低损耗特性有助于提高整体电源转换效率。
    - 工业设备:适合需要高可靠性和稳定性的工业应用场景。
    - 建议使用时考虑散热设计:为了保证长期稳定运行,应合理设计散热措施,以避免过热。

    兼容性和支持


    - BUK427-500A-VB 具有标准 TO-220AB 封装,易于安装和焊接。
    - 提供详细的技术文档和应用指南,以及由制造商提供的技术支持和服务热线(400-655-8788)。

    常见问题与解决方案


    - Q: 在高温环境下性能下降?
    - A: 增加散热装置或优化电路布局以减少热量累积。
    - Q: 开关速度慢?
    - A: 减小栅极电阻 (Rg),或者使用专门的驱动电路来加快开关速度。
    - Q: 雪崩耐受力不足导致损坏?
    - A: 确保电路设计中有适当的保护措施,例如软启动电路或限流电阻。

    总结和推荐


    总体而言,BUK427-500A-VB 在诸多应用中表现出色,尤其是在要求高可靠性和效率的应用场合。凭借其卓越的电气特性和广泛应用领域,它是一款值得推荐的产品。无论是服务器电源、工业控制系统还是照明设备,这款 MOSFET 都将提供可靠的性能和优异的表现。如果您正在寻找一个高效的电源管理解决方案,BUK427-500A-VB 是一个理想的选择。

BUK427-500A-VB参数

参数
通道数量 -
栅极电荷 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 500mΩ@ 10V
Id-连续漏极电流 9A
Vgs-栅源极电压 30V
Vds-漏源极击穿电压 650V
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

BUK427-500A-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

BUK427-500A-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 BUK427-500A-VB BUK427-500A-VB数据手册

BUK427-500A-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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500+ ¥ 5.795
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