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IRF3707ZSTRL-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,70A,RDS(ON),8.4mΩ@4.5V,10mΩ@2.5V,20Vgs(±V);0.8~2.0Vth(V) 封装:TO263\n适用于各种电源和功率控制应用,特别是在需要高效能和低导通电阻的场合,包括电源模块、电机驱动模块、电动车充放电模块以及LED驱动模块等。
供应商型号: IRF3707ZSTRL-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRF3707ZSTRL-VB

IRF3707ZSTRL-VB概述


    产品简介


    N-Channel 30 V MOSFET (型号 IRF3707ZSTRL)
    该产品是一款高性能的N沟道30伏特MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由VBsemi公司生产。其主要功能包括低导通电阻、高功率处理能力和优异的热管理能力。适用于各种电源管理和电机控制等领域。

    技术参数


    - 电压范围: 最大漏源电压 \(V{DS}\) 为30 V。
    - 电流: 漏极连续电流 \(ID\) 为70 A(在\(TC=25°C\)时)。
    - 导通电阻: 在 \(V{GS} = 10 V\) 时,导通电阻 \(R{DS(on)}\) 为0.006 Ω;在 \(V{GS} = 4.5 V\) 时,导通电阻为0.008 Ω。
    - 最大功率耗散: \(PD\) 为71 W(在 \(TC=25°C\) 时)。
    - 工作温度范围: 结温 \(TJ\) 和存储温度 \(T{stg}\) 范围为 -55°C 至 +175°C。
    - 封装: 提供TO-220AB 和 TO-263两种封装选项。
    - 热阻抗: 焊接PCB上的结点到环境的热阻 \(R{thJA}\) 为50°C/W。

    产品特点和优势


    1. 高效能: 低导通电阻 \(R{DS(on)}\) 具备良好的功率损耗管理能力。
    2. 强稳定性: 适用于高温环境,最高可达+175°C。
    3. 兼容性好: 支持多种电压输入,并且热管理能力强,适用于不同的应用场景。
    4. 易于集成: 封装尺寸小,便于焊接和安装,节省空间。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 电源管理: 高效率的开关电源系统,能够提高电源系统的转换效率。
    - 电机驱动: 在电机控制系统中,通过快速响应实现精确控制。
    使用建议
    - 散热设计: 虽然具有较低的热阻,但在高电流环境下仍需确保良好的散热设计。
    - 信号完整性: 注意门极驱动信号的稳定性和噪声控制,以避免误触发或开关损耗增加。

    兼容性和支持


    - 兼容性: IRF3707ZSTRL可以与市场上主流的电路板和模块兼容。
    - 支持和维护: 由VBsemi提供技术支持,包括产品的详细资料和技术指导。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 开关过程中发生过载现象。
    - 解决方案: 检查并确保电路的负载合理,检查是否有短路情况发生。

    - 问题: 门极信号不稳定导致设备无法正常工作。
    - 解决方案: 检查门极驱动信号线路,确认信号质量和电源稳定性。

    总结和推荐


    IRF3707ZSTRL凭借其出色的性能参数和强大的功能,在多个应用领域展现出了显著的优势。其广泛的温度适用范围和较低的热阻使其在极端环境下也能保持良好的工作状态。综上所述,强烈推荐该产品用于需要高效、稳定的电子系统设计中。

IRF3707ZSTRL-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 8.4mΩ@4.5V,10mΩ@2.5V
通道数量 -
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 800mV~2.0V
Id-连续漏极电流 70A
Vds-漏源极击穿电压 30V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRF3707ZSTRL-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRF3707ZSTRL-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRF3707ZSTRL-VB IRF3707ZSTRL-VB数据手册

IRF3707ZSTRL-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.7504
100+ ¥ 1.6207
500+ ¥ 1.5558
800+ ¥ 1.4911
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型号 价格(含增值税)
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