处理中...

首页  >  产品百科  >  IRFBF30SPBF-VB

IRFBF30SPBF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,900V,7A,RDS(ON),950mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V);TO263
供应商型号: IRFBF30SPBF-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRFBF30SPBF-VB

IRFBF30SPBF-VB概述


    产品简介


    产品名称:IRFBF30SPBF N-Channel 900V Super Junction Power MOSFET
    产品类型:超结功率金属氧化物半导体场效应晶体管(Super Junction Power MOSFET)
    主要功能:
    - 低栅极电荷(Qg)
    - 低输入电容(Ciss)
    - 减少开关和导通损耗
    - 能量额定的雪崩耐受能力(UIS)
    应用领域:
    - 服务器和电信电源供应系统
    - 开关模式电源供应系统(SMPS)
    - 功率因数校正电源供应系统(PFC)
    - 照明设备(高亮度放电灯HID、荧光灯球泡照明)
    - 工业设备

    技术参数


    - 漏源电压(VDS):900V
    - 栅源阈值电压(VGS(th)):2 - 4V
    - 最大漏源导通电阻(RDS(on)):0.85Ω @ 25°C
    - 总栅极电荷(Qg):最大11nC
    - 输入电容(Ciss):典型值73pF
    - 输出电容(Coss):未指定
    - 反向传输电容(Crss):未指定
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):89mJ
    - 最大连续漏电流(ID):10V下,25°C时5.9A,100°C时2.95A
    - 最大耗散功率(PD):99W
    - 最大工作结温和存储温度范围(TJ, Tstg):-55°C到+150°C
    - 瞬态热阻抗(RthJA):72°C/W
    - 最大接面到外壳(RthJC):0.7°C/W

    产品特点和优势


    产品特点:
    - 低栅极电荷(Qg):有助于降低开关损耗,提高能效。
    - 低输入电容(Ciss):减少驱动电路的需求,降低整体功耗。
    - 超低栅极电荷(Qg):减少驱动电压变化对功率损耗的影响。
    - 能量额定的雪崩耐受能力(UIS):增强在高压环境下的稳定性和可靠性。
    产品优势:
    - 在多种高要求的应用中表现出色,如电源转换和工业控制等领域。
    - 高度可靠,能够在宽温范围内工作。
    - 优化设计以减少损耗,提高能效。

    应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 适用于各种高效率的电源转换系统,例如服务器电源、通讯电源、LED照明、工业设备等。
    使用建议:
    - 在选择驱动器时,确保栅极驱动电压高于最小栅极电压以保证器件正常工作。
    - 在设计电路时,尽量减少寄生电感,采用大面积接地平面,以提高系统的稳定性。
    - 在恶劣的环境中使用时,考虑加强散热措施,确保工作温度不超过极限值。

    兼容性和支持


    兼容性:
    - 与多数标准电源控制芯片兼容,可以方便地集成到现有的系统中。
    - 可以与其他同类型的电子元件配合使用,如逆变器、驱动电路等。
    支持和维护:
    - 提供详尽的技术手册和应用指南,便于用户快速了解和使用该产品。
    - 客户可以在需要时联系制造商的技术支持团队,获得专业的技术支持和服务。

    常见问题与解决方案


    常见问题:
    - 问题一:在高温环境下运行时,MOSFET出现过热现象。
    - 问题二:驱动电路驱动不充分,导致MOSFET不能完全开启。
    - 问题三:器件启动延迟时间较长。
    解决方案:
    - 解决方法一:增加散热片,优化散热路径,避免器件长时间处于高温状态。
    - 解决方法二:检查驱动电路的电压和电流,确保提供足够的栅极驱动电压。
    - 解决方法三:调整驱动电路的参数,或者更换更快响应速度的驱动器。

    总结和推荐


    综合评估:
    - IRFBF30SPBF是一款具有出色性能的超结功率MOSFET,特别适合于需要高效能转换的电源供应系统和工业应用。
    推荐结论:
    - 强烈推荐使用此产品。该产品凭借其优秀的电气特性和广泛的应用范围,在许多高要求的电源转换系统中表现出色,值得在相关项目中采用。

IRFBF30SPBF-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 30V
Vds-漏源极击穿电压 900V
Id-连续漏极电流 7A
Rds(On)-漏源导通电阻 950mΩ@ 10V
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
栅极电荷 -
通道数量 -
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRFBF30SPBF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRFBF30SPBF-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRFBF30SPBF-VB IRFBF30SPBF-VB数据手册

IRFBF30SPBF-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 11.6609
100+ ¥ 10.7972
500+ ¥ 9.9334
1000+ ¥ 9.5015
库存: 400000
起订量: 10 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 116.6
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504