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IRF9610SPBF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-200V,-6.5A,RDS(ON),500mΩ@10V,600mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-2Vth(V);TO263
供应商型号: IRF9610SPBF-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRF9610SPBF-VB

IRF9610SPBF-VB概述

    P-Channel MOSFET IRF9610SPBF-VB 技术手册概述

    1. 产品简介


    IRF9610SPBF-VB 是一款高性能的P通道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),设计用于高电压和高频应用。它的主要特点是动态dV/dt耐受度高、重复雪崩耐受度强、快速开关能力和易于并联操作。这些特性使得它广泛应用于电源管理、电机控制、负载开关及逆变器等领域。

    2. 技术参数


    - 额定参数:
    - 漏源电压(VDS):-200 V
    - 门源电压(VGS):± 20 V
    - 连续漏极电流(ID):-11 A(Tc = 25°C)
    - 脉冲漏极电流(IDM):-44 A
    - 最大功耗(PD):125 W(Tc = 25°C)
    - 特性参数:
    - 导通电阻(RDS(on)):在VGS = -10 V时为0.50 Ω
    - 最大雪崩能量(EAS):700 mJ
    - 重复雪崩电流(IAR):-11 A
    - 重复雪崩能量(EAR):13 mJ
    - 电学参数:
    - 输入电容(Ciss):200 pF(VGS = 0 V, VDS = -25 V, f = 1.0 MHz)
    - 输出电容(Coss):370 pF
    - 反向传输电容(Crss):81 pF
    - 动态参数:
    - 总门电荷(Qg):最大44 nC
    - 上升时间(tr):最大43 ns
    - 下降时间(tf):最大38 ns

    3. 产品特点和优势


    IRF9610SPBF-VB 的核心优势在于其高动态dV/dt耐受度和重复雪崩耐受度。这些特性使其能够承受高电压瞬变和短路条件下的电流冲击,非常适合在高可靠性和高效率的应用环境中使用。此外,该产品具有快速开关能力和简单的驱动要求,易于并联操作,从而提升了系统的整体效率和稳定性。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 电源管理:在高功率转换器中作为开关元件,以实现高效的电源管理。
    - 电机控制:在电动机驱动系统中用作负载开关,提供精确的控制和保护。
    - 逆变器:在太阳能逆变器和风能逆变器中作为关键组件,以实现高效能源转换。
    - 使用建议:
    - 在高电压应用中,确保选择合适的门驱动器,以避免过高的VGS电压导致损坏。
    - 需要仔细考虑电路布局,尽量减少寄生电感,以提高开关速度和降低EMI。
    - 定期进行热管理,特别是大电流操作时,以确保器件长期稳定运行。

    5. 兼容性和支持


    IRF9610SPBF-VB 支持标准的TO-263封装,与其他常见的P通道MOSFET具有良好的兼容性。制造商提供了详细的文档和技术支持,包括数据手册、应用指南和样品测试电路。如有需要,可以联系服务热线(400-655-8788)获取进一步的支持和服务。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:门极驱动信号不稳定导致开关失效。
    - 解决方法:确保门极驱动器的输出能力足够,并检查线路布局,避免寄生电感的影响。

    - 问题2:工作温度超出限定范围导致器件过热。
    - 解决方法:通过外部散热措施如散热片或散热风扇降低工作温度,确保工作温度在限定范围内。
    - 问题3:开关过程中出现振铃现象。
    - 解决方法:使用LC滤波器或阻尼电阻抑制振铃,确保电路的稳定性和可靠性。

    7. 总结和推荐


    IRF9610SPBF-VB 以其卓越的动态dV/dt耐受度、重复雪崩耐受度和快速开关能力,成为了高性能应用的理想选择。无论是电源管理还是电机控制,这款MOSFET都能提供可靠的性能和高效的能源转换。强烈推荐在关键应用中使用IRF9610SPBF-VB,尤其是在需要高可靠性和高效率的场合。

IRF9610SPBF-VB参数

参数
栅极电荷 -
FET类型 1个P沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 500mΩ@10V,600mΩ@4.5V
Id-连续漏极电流 6.5A
Vds-漏源极击穿电压 200V
配置 -
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRF9610SPBF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRF9610SPBF-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRF9610SPBF-VB IRF9610SPBF-VB数据手册

IRF9610SPBF-VB封装设计

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