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IPB100N08S2-07-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n推出的单极性 N 型沟道 MOSFET,具有80V的额定漏极-源极电压(VDS),可在±20V的门源电压范围内工作。其阈值电压为3V,漏极-源极电阻在VGS=4.5V时为10 m?,在VGS=10V时为6 m?。该器件的最大漏极电流为120A,采用先进的沟道 MOSFET 技术,具有高性能和稳定的特性。封装形式为TO263,适用于各种应用场合。
供应商型号: IPB100N08S2-07-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IPB100N08S2-07-VB

IPB100N08S2-07-VB概述

    IPB100N08S2-07-VB N-Channel 80 V MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    产品类型:
    IPB100N08S2-07-VB 是一款 N 沟道功率 MOSFET,由台湾 VBsemi 公司生产。
    主要功能:
    这款 MOSFET 集成了 ThunderFET® 技术,具有极高的耐温性能(最大结温可达 175°C),并且在极端条件下经过全面测试以确保可靠性和耐用性。
    应用领域:
    适用于多种电源管理、电机控制和开关应用。特别适合需要高可靠性且能在高温环境下工作的场合。

    2. 技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | 80 | - | - | V |
    | 栅源电压 | VGS | ±20 | - | - | V |
    | 持续漏电流(TJ = 150°C) | ID | 120 | - | 65 | A |
    | 脉冲漏电流 | IDM | 225 | - | - | A |
    | 单次雪崩电流 | IAS | - | - | 50 | A |
    | 单次雪崩能量 | EAS | - | - | 125 | mJ |
    | 最大功耗(TC = 25°C) | PD | 370 | - | - | W |
    | 结温范围 | TJ | -55 | - | 175 | °C |
    | 结到环境热阻(PCB安装) | RthJA | 40 | - | - | °C/W |

    3. 产品特点和优势


    独特功能:
    - ThunderFET®技术: 提供更高的耐压能力和更快的开关速度。
    - 高耐温性能: 最高工作温度可达 175°C,使得该产品适用于高温环境。
    - 全测特性: 100% 测试保证,包括 Rg 和 UIS。
    - 材质分类: 符合RoHS标准,不含卤素。
    市场竞争力:
    这些特点使得该产品在电源管理和电机控制领域具有很强的市场竞争力,尤其适用于要求高性能和高可靠性的应用场景。

    4. 应用案例和使用建议


    典型应用场景:
    - 电机驱动: 高温环境下稳定的电机控制。
    - 电源转换: 高效的电源管理解决方案。
    使用建议:
    - 散热设计: 由于其高耐温性能,可在高功耗应用中直接使用,但需确保良好的散热设计。
    - 测试条件: 使用时需注意电压和电流的脉冲宽度,防止长时间高负载工作。

    5. 兼容性和支持


    兼容性:
    - 该产品为 TO-263 封装,易于集成到各种 PCB 设计中,与标准 MOSFET 接口兼容。
    支持和服务:
    - 提供详尽的技术手册和技术支持,帮助客户解决使用过程中的问题。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 额定电流不足 | 确保在设计中考虑瞬态电流的影响,选用适当散热措施。 |
    | 温度过高 | 优化电路布局和增加散热片,确保良好的热传导路径。 |

    7. 总结和推荐


    综合评估:
    IPB100N08S2-07-VB MOSFET 在高温稳定性、快速响应和高效能方面表现出色,适用于多种严苛环境下的应用。
    推荐:
    强烈推荐该产品用于高可靠性需求的应用,特别是在高温和大电流环境中。如果需要更高性能的电源管理和电机控制解决方案,这一款 MOSFET 是一个绝佳的选择。

IPB100N08S2-07-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 6mΩ@10V,10mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 80V
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 120A
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.7V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IPB100N08S2-07-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IPB100N08S2-07-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IPB100N08S2-07-VB IPB100N08S2-07-VB数据手册

IPB100N08S2-07-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 4.8594
100+ ¥ 4.4995
500+ ¥ 4.3194
800+ ¥ 4.1395
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