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K22E10N1-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,100V,100A,RDS(ON),9mΩ@10V,20mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.2Vth(V) 封装:TO220适用于需要高电压耐受能力、低导通电阻和稳定性的领域和模块,如电源模块、电动汽车电机控制、工业驱动器和光伏逆变器等。
供应商型号: K22E10N1-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K22E10N1-VB

K22E10N1-VB概述

    # K22E10N1-VB N-Channel 100-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    K22E10N1-VB 是一款 N-Channel 100-V MOSFET,专为高性能应用设计。其主要功能包括出色的电流处理能力、低导通电阻和宽广的工作温度范围。这款 MOSFET 广泛应用于开关电源、电机驱动系统和电池管理等领域。

    技术参数


    额定参数
    - 漏源电压 (VDS): 100 V
    - 栅源电压 (VGS): ± 20 V
    - 连续漏极电流 (ID): 100 A(TJ = 150°C)
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 300 A
    - 单脉冲雪崩电流 (IL): 75 A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 280 mJ
    - 最大功率耗散 (PD): 250 W(自由空气下 TO-220AB)
    - 工作结温和存储温度范围 (TJ, Tstg): -55°C 至 175°C
    热阻
    - PCB 安装时结到环境热阻 (RthJA): 40°C/W(TO-263)
    - 自由空气中结到环境热阻 (RthJA): 62.5°C/W(TO-220AB)
    - 结到外壳热阻 (RthJC): 0.6°C/W

    产品特点和优势


    - 高可靠性:采用 TrenchFET® 技术,具有较高的最大结温(175°C),确保长时间稳定运行。
    - 合规性:符合 RoHS 指令 2002/95/EC。
    - 低导通电阻:在 VGS = 10 V 和 4.5 V 时,RDS(on) 分别为 0.009Ω 和 0.020Ω。
    - 快速开关性能:典型情况下,td(on) 为 12 ns,tr 为 90 ns。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    K22E10N1-VB MOSFET 可用于各种电源转换电路中。例如,在高频开关电源中,它可以作为主要的开关器件,实现高效能量转换。
    使用建议
    - 散热管理:由于 MOSFET 在高电流条件下会发热,因此需要确保有效的散热措施,如使用散热片或风扇。
    - 栅极驱动:为了提高效率和可靠性,建议使用低阻抗的栅极驱动器,以减少开关损耗。

    兼容性和支持


    K22E10N1-VB 支持广泛的电路设计,并且与其他主流电子元件具有良好的兼容性。制造商提供全面的技术支持和售后服务,包括产品规格查询和技术咨询。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关频率过高导致过热 | 降低开关频率或增加散热措施 |
    | 栅极电压波动大 | 使用稳压器稳定栅极电压 |
    | 导通电阻过大 | 检查电路连接是否正确 |

    总结和推荐


    K22E10N1-VB 是一款高性能的 N-Channel 100-V MOSFET,具备出色的电流处理能力和低导通电阻。其适用于多种工业和消费电子应用。其高可靠性、快速开关性能和良好的温度适应性使其在市场上具有很强的竞争力。对于需要高效率和高可靠性的应用,我们强烈推荐使用此产品。

K22E10N1-VB参数

参数
通道数量 -
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.2V
配置 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 9mΩ@10V,20mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 100V
Id-连续漏极电流 100A
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K22E10N1-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K22E10N1-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K22E10N1-VB K22E10N1-VB数据手册

K22E10N1-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 3.5991
500+ ¥ 3.4551
1000+ ¥ 3.3111
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