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2SK2824-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,20V,4A,RDS(ON),45mΩ@10V,49mΩ@4.5V,60mΩ@2.5V,12Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:SC70-3在电动工具控制器中,可用作电机驱动器件,通过其高压承受能力和低导通电阻,实现电动工具的高效驱动和性能提升。
供应商型号: 2SK2824-VB SC70-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 2SK2824-VB

2SK2824-VB概述

    N-Channel 20V MOSFET 2SK2824 技术手册

    产品简介


    N-Channel 20V MOSFET(型号2SK2824)是一款高性能、低导通电阻的功率场效应晶体管(TrenchFET®),广泛应用于便携式设备、负载开关和电机控制等领域。此产品具有环保特性,符合RoHS指令及无卤素要求。

    技术参数


    - 漏源电压 \( V{DS} \): 20V
    - 最大栅源电压 \( |V{GS}| \): ±12V
    - 持续漏极电流 \( I{D} \):
    - \( T{J} = 25^\circ C \): 4A
    - \( T{J} = 150^\circ C \): 1.5A
    - 最大脉冲漏极电流 \( I{DM} \): 20A
    - 导通状态漏极电流 \( I{D(on)} \): 15A (在 \( V{GS} = 4.5V \))
    - 导通状态电阻 \( R{DS(on)} \):
    - \( V{GS} = 10V \), \( I{D} = 3.7A \): 0.036Ω
    - \( V{GS} = 4.5V \), \( I{D} = 3.6A \): 0.040Ω
    - \( V{GS} = 2.5V \), \( I{D} = 1.5A \): 0.048Ω
    - 总栅极电荷 \( Qg \):
    - \( V{DS} = 15V \), \( V{GS} = 10V \), \( I{D} = 3.7A \): 8.8~13.5nC
    - \( V{DS} = 15V \), \( V{GS} = 4.5V \), \( I{D} = 3.7A \): 4~6nC
    - 工作环境温度范围: -55°C 至 150°C

    产品特点和优势


    - 环保特性: 符合RoHS和无卤素标准,适用于环保需求较高的应用场景。
    - 高可靠性: 具有100%栅极电阻测试,确保每个产品的可靠性和一致性。
    - 高阈值电压保护: 热稳定性好,适用于高温工作环境。
    - 低导通电阻: 在常用的工作条件下(例如 \( V{GS} = 4.5V \) 时),其 \( R{DS(on)} \) 可低至0.040Ω,减少功耗并提高效率。
    - 快速响应时间: 适用于需要快速开关的应用,如负载开关和电机控制。

    应用案例和使用建议


    - 便携式设备: 用于电池开关和负载管理,确保设备运行稳定且高效。
    - 负载开关: 配合电机、继电器和电磁阀等应用,实现高效的电流控制。
    - 电机控制: 由于其高阈值电压保护,适用于需要稳定驱动电机的应用。
    使用建议:
    - 在设计电路时,注意保证足够的散热措施,以避免因过热导致的性能下降或损坏。
    - 使用过程中,要特别关注工作环境温度,特别是在高温环境下,要注意调整工作电流以防止过载。

    兼容性和支持


    - 2SK2824 封装为SOT-323 和 SC-70(3引脚),易于集成到现有的电路板设计中。
    - 厂商提供详细的技术文档和专业的技术支持服务,帮助用户解决在应用中可能遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 温度过高导致性能下降
    - 解决方案: 确保良好的散热措施,例如使用散热片或增加散热面积。
    2. 问题: 开关损耗较大
    - 解决方案: 调整驱动信号频率,降低工作电流,减少开关损耗。
    3. 问题: 启动延迟时间长
    - 解决方案: 优化电路设计,确保驱动信号有足够的电压和电流。

    总结和推荐


    N-Channel 20V MOSFET(型号2SK2824)在便携式设备和负载开关应用中表现出色,具有低导通电阻和快速响应时间等显著优点。该产品适用于多种应用,特别是对环保和高可靠性有较高要求的场合。因此,强烈推荐将其用于各种电力电子系统的设计和开发中。

2SK2824-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 4A
Vgs-栅源极电压 12V
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V~3V
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 45mΩ@10V,49mΩ@4.5V,60mΩ@2.5V
通用封装 SC-70-3
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

2SK2824-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

2SK2824-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 2SK2824-VB 2SK2824-VB数据手册

2SK2824-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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500+ ¥ 0.3457
3000+ ¥ 0.3313
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