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K2599_06-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 650V,4A,RDS(ON),2560mΩ@10V,20Vgs(±V);3.8Vth(V) 一款单通道 N 型 MOSFET,采用 Plannar 技术制造,具有高性能和可靠性。其封装为 TO220F,适用于各种电源和功率控制应用。
供应商型号: K2599_06-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K2599_06-VB

K2599_06-VB概述


    产品简介


    本文介绍的是VBsemi公司生产的N-Channel 650V(D-S)功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这类MOSFET广泛应用于电源管理、电机驱动、照明系统和各种逆变器等领域。其独特的结构使其具有较低的导通电阻和高耐压特性,适用于需要高效能量转换的应用场合。

    技术参数


    - 漏源电压 (VDS):650V
    - 栅源阈值电压 (VGS(th)):2.0V 至 4.0V
    - 栅源电容 (Ciss):80 pF
    - 输出电容 (Coss):48 pF
    - 栅极电荷 (Qg):48 nC
    - 导通电阻 (RDS(on)):2.5 Ω (VGS = 10V)
    - 最大持续漏电流 (ID):3.8 A (TC = 100°C)
    - 脉冲漏电流 (IDM):18 A
    - 雪崩能量 (EAS):325 mJ
    - 工作温度范围:-55°C 至 +150°C

    产品特点和优势


    这款MOSFET具备以下显著优势:
    - 低门极电荷 (Qg):简化了驱动要求,减少了电路复杂度。
    - 增强型门极、雪崩和动态dv/dt的坚固性:提供了更高的可靠性。
    - 完全指定的电容和雪崩电压及电流:保证了产品的稳定性和一致性。
    - 符合RoHS标准:满足环保要求。

    应用案例和使用建议


    这款MOSFET可广泛应用于各类高效率的电力转换设备中。例如,在电源适配器中,可以减少电路板尺寸并提高转换效率。具体应用时应注意以下几点:
    - 选择合适的栅极驱动电路:以确保快速而可靠的开关操作。
    - 合理布置PCB布局:以减小杂散电感的影响。

    兼容性和支持


    该产品兼容多种标准封装,如TO-220 Fullpak。制造商提供了详尽的技术支持文档和咨询服务,帮助用户更好地理解和使用这款MOSFET。

    常见问题与解决方案


    - 问题:设备在高温环境下工作不稳定。
    - 解决方法:增加散热措施,确保温度不超过最大工作范围。

    - 问题:在高频开关过程中出现异常损耗。
    - 解决方法:调整驱动电阻,优化栅极电荷曲线。

    总结和推荐


    这款N-Channel 650V功率MOSFET凭借其出色的性能和较高的性价比,非常适合用于高效率电力转换系统。无论是从设计复杂度还是从最终产品的可靠性来看,这都是一个非常值得推荐的选择。如果你需要一款能够在苛刻条件下保持高性能的MOSFET,这款产品将是一个理想的选择。

K2599_06-VB参数

参数
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
Rds(On)-漏源导通电阻 2.56Ω@ 10V
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 4A
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K2599_06-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K2599_06-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K2599_06-VB K2599_06-VB数据手册

K2599_06-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.9004
1000+ ¥ 1.8212
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型号 价格(含增值税)
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