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IRFR3717TRPBF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,20V,160A,RDS(ON),2.5mΩ@4.5V,3.5mΩ@2.5V,20Vgs(±V);1.55Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: IRFR3717TRPBF-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRFR3717TRPBF-VB

IRFR3717TRPBF-VB概述


    产品简介


    产品名称: IRFR3717TRPBF
    产品类型: N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
    主要功能:
    - 作为电源开关或驱动元件
    - 主要应用于服务器、直流/直流转换器及OR-ing电路中
    应用领域:
    - 服务器
    - 直流/直流转换器
    - OR-ing电路

    技术参数


    - 额定电压(VDS): 20 V
    - 连续漏极电流(ID): 120 A(TC = 25°C时)
    - 最大耗散功率(PD): 250 W(TC = 25°C时)
    - 热阻抗(RthJA): 32°C/W(最大值)
    - 导通电阻(RDS(on)): 0.0025 Ω(VGS = 4.5 V时)
    - 输入电容(Ciss): 620 pF(VDS = 10 V,VGS = 0 V,f = 1 MHz时)
    - 输出电容(Coss): 1725 pF
    - 反向传输电容(Crss): 970 pF
    - 总栅极电荷(Qg): 257 nC(VDS = 10 V,VGS = 10 V时)

    产品特点和优势


    独特功能:
    - 高效的TrenchFET®技术,提供低导通电阻
    - 符合RoHS标准
    - 100%的Rg和UIS测试保证了高可靠性
    优势:
    - 低导通电阻(0.0025 Ω),适合高效率应用
    - 高电流处理能力(120 A),满足大电流需求
    - 优异的热管理能力(32°C/W的最大热阻),确保稳定工作

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 在服务器环境中用于电源管理
    - 在直流/直流转换器中作为关键的开关元件
    - 在OR-ing电路中防止反向电流冲击
    使用建议:
    - 确保在高电流应用中提供足够的散热措施,以避免过热
    - 在极端温度环境下工作时,注意检查热阻抗并合理安排散热
    - 在需要低损耗的应用中选择此产品,如服务器电源系统

    兼容性和支持


    - 兼容性:
    - 适用于广泛的标准接口
    - 可与其他主流的直流/直流转换器和服务器组件兼容

    - 支持:
    - 官方技术支持和保修服务
    - 客户可以访问官方网站获取详细的技术文档和更新信息

    常见问题与解决方案


    - 问题1: 过热导致MOSFET失效
    - 解决方案: 检查散热设计,增加散热片或改进通风
    - 问题2: 高频操作时栅极震荡
    - 解决方案: 使用合适的栅极电阻(Rg),减小栅极电容的影响
    - 问题3: 长时间高负载导致器件损坏
    - 解决方案: 适当降低负载电流,避免长时间过载

    总结和推荐


    综合评估:
    - IRFR3717TRPBF是高性能的N-Channel 20-V MOSFET,适用于多种电力电子应用。
    - 低导通电阻和高效能使得它在服务器和直流/直流转换器中表现出色。
    - 具有良好的热管理和高度的可靠性能,非常适合在苛刻环境中工作。
    推荐:
    - 强烈推荐在需要高效能、高电流处理能力和良好热管理的电子系统中使用该产品。
    - 特别适用于服务器电源系统和直流/直流转换器的设计。

IRFR3717TRPBF-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 160A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.55V
Rds(On)-漏源导通电阻 2.5mΩ@4.5V,3.5mΩ@2.5V
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
通道数量 -
最大功率耗散 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 20V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRFR3717TRPBF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRFR3717TRPBF-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRFR3717TRPBF-VB IRFR3717TRPBF-VB数据手册

IRFR3717TRPBF-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 1.7996
500+ ¥ 1.7275
2500+ ¥ 1.6556
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