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K2493-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N沟道场效应管,具有20V的标称漏极-源极电压(VDS),±20V的标称栅极-源极电压(VGS),以及0.5~1.5V的阈值电压(Vth)。在VGS=2.5V时,其导通电阻(RDS(on))为6mΩ,在VGS=4.5V时为5mΩ。该器件最大漏极电流(ID)可达100A,采用Trench技术(沟槽结构),封装为TO252。该器件适用于需要高功率输出和稳定性能的电源管理和功率控制系统。
供应商型号: K2493-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K2493-VB

K2493-VB概述

    电子元器件产品技术手册

    产品简介


    本产品是一款N沟道20V(D-S)175℃ TrenchFET®功率MOSFET。该器件采用TO-252封装,具有低导通电阻(rDS(on)),适用于高电流和高频开关应用。其主要功能是实现电路中的电能转换和开关控制,广泛应用于电源管理、电机驱动、逆变器等领域。

    技术参数


    - 最大漏源电压 (VDS):20V
    - 最小栅阈值电压 (VGS(th)):0.5V
    - 漏极连续电流 (ID):100A(在TC=25℃下),80A(在TC=100℃下)
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM):200A
    - 最大功率耗散 (PD):71W(在TC=25℃下),8.3W(在TA=25℃下)
    - 工作温度范围 (TJ, Tstg):-55℃至175℃
    - 热阻参数 (RthJA):40-50℃/W
    - 二次击穿电压 (V(BR)DSS):20V
    - 输入电容 (Ciss):3660pF
    - 输出电容 (Coss):730pF
    - 反向传输电容 (Crss):375pF
    - 总栅极电荷 (Qg):26-35nC
    - 栅极电阻 (Rg):1-3.7Ω
    - 导通延迟时间 (td(on)):20-35ns
    - 上升时间 (tr):120-190ns

    产品特点和优势


    - 高可靠性:100% Rg测试保证了产品在制造过程中的高质量。
    - 宽温度范围:能够承受从-55℃到175℃的工作温度,适用于极端环境。
    - 低导通电阻:低至0.0045Ω@VGS=4.5V,实现了高效的电能转换。
    - 快速响应:短的导通和关断延迟时间(分别为20-35ns和45-70ns),适合高频应用。
    - 兼容性强:TO-252封装易于安装和布线,适用于多种应用场景。

    应用案例和使用建议


    该MOSFET常用于电源转换、电机驱动和逆变器等应用。例如,在直流-直流转换器中,它能够高效地控制开关频率,提高系统的整体效率。建议在使用时注意散热设计,以确保器件在高温环境下正常工作。此外,可以通过优化电路布局和增加适当的热沉来进一步提高系统稳定性。

    兼容性和支持


    该产品与其他电子元器件具有良好的兼容性,可广泛应用于各种电子设备。VBsemi公司提供了全面的技术支持和售后服务,确保客户能够充分利用该产品的性能优势。如有需要,可联系400-655-8788获取更多支持信息。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:过热导致MOSFET损坏。
    - 解决方案:加强散热设计,确保良好的热管理。
    - 问题2:导通电阻过高。
    - 解决方案:检查VGS是否达到阈值电压,调整电路以降低电阻。
    - 问题3:快速切换引起的干扰。
    - 解决方案:优化电路布局,增加必要的滤波器以减少电磁干扰。

    总结和推荐


    综上所述,该N沟道20V(D-S)175℃ TrenchFET®功率MOSFET在高电流和高频开关应用中表现出色,具备高可靠性和宽温度适应性。适用于电源管理和电机驱动等领域。强烈推荐给需要高性能、高效能电子器件的工程师和技术人员。
    本文档由VBsemi提供,更多信息请访问[官网](www.VBsemi.com)或拨打400-655-8788获取支持。

K2493-VB参数

参数
配置 -
栅极电荷 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 870mV
Vgs-栅源极电压 15V
Vds-漏源极击穿电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 3mΩ@4.5V,3.5mΩ@2.5V
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 145A
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K2493-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K2493-VB数据手册

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K2493-VB封装设计

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