处理中...

首页  >  产品百科  >  IRL6372TRPBF-VB

IRL6372TRPBF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,30V,8.5A,RDS(ON),20mΩ@10V,12mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.5Vth(V) 封装:SOP8
供应商型号: IRL6372TRPBF-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRL6372TRPBF-VB

IRL6372TRPBF-VB概述

    Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    产品类型: Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
    主要功能: 这款产品采用TrenchFET™技术,提供两个独立的N沟道功率MOSFET,适用于笔记本系统电源和低电流DC/DC转换。
    应用领域: 笔记本电脑电源管理、低电流DC/DC转换等。

    2. 技术参数


    - 漏源电压(VDS): 30 V
    - 连续漏极电流(ID):
    - TC = 25°C 时 8.5 A
    - TC = 70°C 时 7.5 A
    - 脉冲漏极电流(IDM): 30 A
    - 最大功耗(PD):
    - TC = 25°C 时 3.1 W
    - TC = 70°C 时 2.0 W
    - 热阻(RthJA):
    - 最大值 52 °C/W
    - 栅漏电压(VGS): ± 20 V
    - 阈值电压(VGS(th)):
    - 1.2 V 至 2.5 V
    - 反向恢复时间(trr):
    - 17 ns 至 34 ns
    - 反向恢复电荷(Qrr):
    - 9 nC 至 18 nC
    - 栅极电阻(Rg):
    - 0.5 Ω 至 5.2 Ω

    3. 产品特点和优势


    - 高可靠性: 100% Rg 和 UIS 测试确保了产品的可靠性和质量。
    - 低导通电阻(RDS(on)):
    - 在 VGS = 10 V,ID = 8 A 条件下为 0.016 Ω
    - 在 VGS = 4.5 V,ID = 5 A 条件下为 0.020 Ω
    - 良好的电气性能: 高精度的栅极电荷、快速的开关时间和低反向恢复时间使其成为高效能应用的理想选择。
    - 符合RoHS标准: 无铅化设计,符合环保要求。

    4. 应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 笔记本电脑电源管理系统
    - 低电流DC/DC转换器
    使用建议:
    - 确保在安装过程中正确接地,以避免静电损坏。
    - 在高电流应用中,考虑使用散热片以降低热应力。
    - 在进行测试时,注意控制温度条件,以确保稳定运行。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: 可与大多数标准电路板设计兼容。
    - 支持: 提供详细的规格书和技术文档,可访问官网获取更多信息和支持。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1: 开关过程中发热严重
    解决方案: 使用合适的散热片,确保散热良好。
    - 问题2: 导通电阻偏高
    解决方案: 检查是否达到额定的工作电压,确保VGS高于阈值电压。
    - 问题3: 反向恢复时间长
    解决方案: 检查是否与其它元件产生干扰,调整驱动信号的频率。

    7. 总结和推荐


    总结:
    这款Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET凭借其高可靠性、低导通电阻和良好的电气性能,在笔记本电脑电源管理和低电流DC/DC转换应用中表现出色。它具有优越的温度稳定性和低功耗,非常适合要求高效能的应用场合。
    推荐:
    强烈推荐在需要高性能、低功耗和高可靠性的电源管理系统和DC/DC转换器中使用这款产品。

IRL6372TRPBF-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 20mΩ@10V,12mΩ@4.5V
配置 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 8.5A
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRL6372TRPBF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRL6372TRPBF-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRL6372TRPBF-VB IRL6372TRPBF-VB数据手册

IRL6372TRPBF-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.5757
100+ ¥ 1.459
500+ ¥ 1.4006
4000+ ¥ 1.3423
库存: 400000
起订量: 20 增量: 4000
交货地:
最小起订量为:20
合计: ¥ 31.51
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504