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088N03L-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n适用于电源模块、电动车电机控制器、光伏逆变器等领域,可用于开关电源、电动车、光伏发电系统等模块中的功率开关和控制器,以实现高效能量转换和稳定性能输出。\nN沟道,30V,40A,RDS(ON),11mΩ@10V,16mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.3Vth(V) 封装:QFN8(3X3)
供应商型号: 088N03L-VB QFN8(3X3)
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 088N03L-VB

088N03L-VB概述


    产品简介


    088N03L-VB 是一款高性能的 N-Channel MOSFET(场效应晶体管),属于低侧开关类型。它主要应用于直流/直流转换器、笔记本电脑和游戏设备中。此款 MOSFET 集成了 VBsemi 公司的 TrenchFET® 技术,能够在高电流和高温环境下提供卓越的性能。

    技术参数


    - 基本参数:
    - 最大漏源电压(VDS):30 V
    - 最大栅源电压(VGS):±20 V
    - 最大连续漏极电流(ID):30 A
    - 最大脉冲漏极电流(IDM):100 A
    - 单脉冲雪崩电流(IAS):10 A
    - 最大雪崩能量(EAS):5 mJ
    - 最大功率耗散(PD):30 W @ 70 °C,60 W @ 25 °C
    - 工作温度范围(TJ):-55 °C 至 150 °C
    - 热阻参数:
    - 最大结到环境热阻(RthJA):27 °C/W(典型值)
    - 最大结到引脚(漏极)热阻(RthJF):6 °C/W(典型值)

    产品特点和优势


    1. 无卤素设计:符合环保要求,减少了对环境的影响。
    2. TrenchFET® 技术:提供了更低的导通电阻(RDS(on))和更高的可靠性。
    3. 100% 测试:所有样品都经过了栅极电阻(Rg)和雪崩耐受性(UIS)测试,确保出厂品质。
    4. 宽工作温度范围:-55 °C 至 150 °C 的工作温度范围使其适用于各种恶劣环境。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 笔记本电脑:用于电源管理,提升电池续航时间。
    - 游戏设备:用于提高电源效率和稳定性能。
    使用建议
    - 散热设计:为了确保 MOSFET 在高温环境下也能正常工作,建议使用有效的散热设计,如增加散热片或采用更高效的散热材料。
    - 电路保护:考虑到可能的浪涌电流,建议在电路中加入保护电路,如瞬态电压抑制二极管(TVS)。

    兼容性和支持


    - 兼容性:088N03L-VB 支持标准的表面贴装技术(SMT),易于与其他电子元器件集成。
    - 技术支持:厂商提供详细的技术文档和支持服务,客户可以通过官方客服热线(400-655-8788)获得技术支持和咨询服务。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:启动延迟时间过长
    - 解决办法:调整驱动电阻(Rg)以优化启动延迟时间。
    2. 问题:功率耗散过大
    - 解决办法:检查散热设计是否合理,必要时增加散热片或改进散热路径。
    3. 问题:工作温度超出范围
    - 解决办法:考虑使用额外的散热措施或选择工作温度范围更广的型号。

    总结和推荐


    088N03L-VB 是一款集高性能、高可靠性和环保设计于一体的 N-Channel MOSFET。它具备出色的电气特性和热管理能力,非常适合在高温和高电流环境中使用。对于需要高效电源管理和高可靠性应用的系统,强烈推荐使用这款产品。其无卤素设计和卓越的测试标准也使其成为环保型应用的理想选择。

088N03L-VB参数

参数
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 40A
Vds-漏源极击穿电压 30V
通道数量 -
最大功率耗散 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 11mΩ@10V,16mΩ@4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.3V
通用封装 QFN-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

088N03L-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

088N03L-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 088N03L-VB 088N03L-VB数据手册

088N03L-VB封装设计

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