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IRFH7934TRPBF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,120A,RDS(ON),3mΩ@10V,5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.79Vth(V) 一款单N沟道场效应管,适用于中功率应用场景。具有较高的漏极电压和漏极电流能力,以及低阈值电压和低开启电阻的特性。采用Trench技术制造,具有优良的性能稳定性和可靠性。封装采用DFN8(5X6),适用于小型电路设计,有利于节省空间。
供应商型号: IRFH7934TRPBF-VB QFN8(5X6)
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRFH7934TRPBF-VB

IRFH7934TRPBF-VB概述

    IRFH7934TRPBF-VB 技术手册解析

    产品简介


    IRFH7934TRPBF-VB 是一款由台湾VBsemi公司生产的N沟道MOSFET。这款MOSFET采用了TrenchFET技术,具有出色的开关特性和低导通电阻。该产品适用于笔记本电脑核心电源、VRM(电压调节模块)/POL(点对点)电路等多种应用场合。其典型应用包括计算机主板、电源管理和高效能的直流-直流转换器。

    技术参数


    以下是IRFH7934TRPBF-VB的关键技术参数:
    - 电压范围:VDS = 30V
    - 电流范围:ID = 120A(连续)、IDM = 250A(脉冲)
    - 最大功率耗散:PD = 210W(TA = 25°C)、PD = 155W(TA = 70°C)
    - 导通电阻:RDS(on) = 0.003Ω(VGS = 10V时),RDS(on) = 0.005Ω(VGS = 4.5V时)
    - 阈值电压:VGS(th) = 1.0~2.5V
    - 栅源漏电流:IDSS ≤ 1μA(VDS = 30V)
    - 栅电荷:Qg = 71nC(VDS = 15V,ID = 32A)

    产品特点和优势


    - 高效率:采用TrenchFET技术,降低导通电阻,提高能效。
    - 可靠性高:100%进行Rg和UIS测试,确保产品在极限条件下的可靠性。
    - 紧凑封装:DFN5X6封装,节省空间,便于集成。
    - 宽温度范围:-55℃到175℃的工作温度范围,适应多种环境条件。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 笔记本电脑核心电源:在高密度电源设计中提供高效能转换。
    - VRM/POL电路:用于服务器和工作站电源管理,提升系统稳定性。
    使用建议:
    - 在使用过程中,要确保散热良好,避免过热导致损坏。
    - 在高温环境下使用时,注意调整电流以确保安全运行。
    - 可考虑添加外部散热片或强制风冷,以提高散热效果。

    兼容性和支持


    - 兼容性:IRFH7934TRPBF-VB 与其他主流电路板和PCB设计兼容,易于集成。
    - 支持和服务:VBsemi公司提供全面的技术支持和售后服务,客户可随时通过服务热线400-655-8788咨询相关问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题:过温保护触发频繁。
    - 解决方案:检查散热系统是否有效,必要时增加散热措施。

    - 问题:输出电流不稳定。
    - 解决方案:确认负载稳定,且电源供电电压符合要求。

    总结和推荐


    IRFH7934TRPBF-VB 是一款高性能的N沟道MOSFET,适合于笔记本电脑核心电源和各种电源管理电路。其优异的导通电阻、宽温度范围及高可靠性使其在市场上具备较强的竞争力。推荐用户在需要高效率和可靠性的应用中使用此款产品,并确保正确安装和使用以发挥其最佳性能。

IRFH7934TRPBF-VB参数

参数
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.79V
最大功率耗散 -
配置 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 120A
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 3mΩ@10V,5mΩ@4.5V
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 QFN-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRFH7934TRPBF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRFH7934TRPBF-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRFH7934TRPBF-VB IRFH7934TRPBF-VB数据手册

IRFH7934TRPBF-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 2.9159
100+ ¥ 2.6999
500+ ¥ 2.4839
5000+ ¥ 2.3759
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